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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-08-10 17:00 ECRプラズマ法によって作製したGe-MIS構造のDLTSとC-t測定による評価 ○佐藤真哉・岩崎拓郎・鈴木聡一郎・小野俊郎（弘前大）・福田幸夫（諏訪東京理科大）・岡本 浩（弘前大）  CPM2011-65 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2011-65 |
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| 抄録 | （和） | 近年Geを用いたMIS構造が次世代のデバイス候補として注目を集めているが、界面の品質向上が課題となっている。これまでに我々はECR(Electron Cyclotron Resonance)プラズマ法により界面準位密度の低いGe-MIS構造の作製に成功し、DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) 法による評価が有効であることを示した。本報告ではこれまでのDLTS評価によって見つかったバルク中または絶縁膜中と思われる未知のトラップについてDLTSのパルス幅依存性測定を行い、DLTS信号の起源が絶縁膜中のトラップであることを明らかにした。さらにC-t測定により、C-Vのヒステリシスの原因と思われるトラップについて評価を行った。 |
| （英） | In recent years, a Ge-MIS structure has attracted the attention for the candidate of a next generation device. However, improvement of the interface quality is a subject to be solved for this structure. To date, we have successfully developed Ge-MIS structures with superior interface qualities by ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma techniques. In addition, we have shown that DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) method is useful for evaluating the Ge-MIS structures. In this report, we have evaluated the unknown traps which were found on previous study, and have clarified that the traps locate in the insulator layer. We have also evaluated the traps, which may cause the hysteresis of C-V measurements, by C-t method. | |
| キーワード | （和） | DLTS / Ge-MIS / ECRプラズマ法 / C-t特性 / / / / |
| （英） | DLTS / Ge-MIS / ECR plasma techniques / C-t characteristic / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 176, CPM2011-65, pp. 47-50, 2011年8月. | |
| 資料番号 | CPM2011-65 | |
| 発行日 | 2011-08-03 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2011-65 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2011-65 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2011-08-10 - 2011-08-11 |
| 開催地（和） | 弘前大学 文京町キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2011-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ECRプラズマ法によって作製したGe-MIS構造のDLTSとC-t測定による評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of Ge-MIS structure fabricated by ECR plasma techniques by DLTS and C-t measurement |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | DLTS / DLTS |
| キーワード(2)（和/英） | Ge-MIS / Ge-MIS |
| キーワード(3)（和/英） | ECRプラズマ法 / ECR plasma techniques |
| キーワード(4)（和/英） | C-t特性 / C-t characteristic |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 真哉 / Shinya Sato / サトウ シンヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩崎 拓郎 / Takuro Iwasaki / イワサキ タクロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 聡一郎 / Soitiro Suzuki / スズキ ソウイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小野 俊郎 / Toshiro Ono / オノ トシロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 幸夫 / Yukio Fukuda / フクダ ユキオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 諏訪東京理科大学 (略称： 諏訪東京理科大) Tokyo University of Science, Suwa (略称： Tokyo Univ. of Science, Suwa) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡本 浩 / Hiroshi Okamoto / オカモト ヒロシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-08-10 17:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2011-65 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.176 |
| ページ範囲 | pp.47-50 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-08-03 (CPM) |
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