| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-08-10 14:15 SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性 大谷孝史・姉崎 豊・浅野 翔・加藤有行（長岡技科大）・成田 克（山形大）・中澤日出樹（弘前大）・加藤孝弘・○安井寛治（長岡技科大）  CPM2011-59 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2011-59 |
|
| 抄録 | （和） | Si基板上へガスソースMBE法によりモノメチルゲルマン(MMGe)を用いてSi c(4×4)構造形成後， Ge, SiCナノドット形成を行った。形成したドット層に対して走査型トンネル顕微鏡(STM)測定を行うとともにモノメチルシラン(MMSi)を用いてSiCキャップ層を形成した。さらにキャップ層を形成したGe•SiCドット層からの発光スペクトルを測定しその特性を考察した． |
| （英） | Ge and SiC nanodots were formed on Si(001) 3˚ off substrates after the formation of Si c(4x4) structure using monomethylgermane (MMGe). Surface structure of the Ge and SiC nanodots was measured by scanning tunneling microscopy (STM). SiC capping layer was formed on the Ge, SiC dots for various conditions and photoluminescence spectra from the Ge, SiC dot layer capped with the SiC layer were measured. | |
| キーワード | （和） | Ge / SiC / ナノドット / モノメチルゲルマン / 走査型トンネル顕微鏡 / フォトルミネッセンス / / |
| （英） | Ge / SiC / nano-dot / monomethylgermane / STM / PL / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 176, CPM2011-59, pp. 15-20, 2011年8月. | |
| 資料番号 | CPM2011-59 | |
| 発行日 | 2011-08-03 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2011-59 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2011-59 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2011-08-10 - 2011-08-11 |
| 開催地（和） | 弘前大学 文京町キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2011-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photoluminescence characteristics of Ge, SiC nanodots capped by SiC layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(2)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(3)（和/英） | ナノドット / nano-dot |
| キーワード(4)（和/英） | モノメチルゲルマン / monomethylgermane |
| キーワード(5)（和/英） | 走査型トンネル顕微鏡 / STM |
| キーワード(6)（和/英） | フォトルミネッセンス / PL |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大谷 孝史 / Takashi Otani / オオタニ タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaok University of Technology (略称： Nagaoka Univ. Technol.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 姉崎 豊 / Yutaka Anezaki / アネザキ ユタカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaok University of Technology (略称： Nagaoka Univ. Technol.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅野 翔 / Sho Asano / アサノ ショウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaok University of Technology (略称： Nagaoka Univ. Technol.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 有行 / Ariyuki Kato / カトウ アリユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaok University of Technology (略称： Nagaoka Univ. Technol.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 成田 克 / Yuzuru Narita / ナリタ ユズル |
| 第5著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 孝弘 / Takahiro Kato / カトウ タカヒロ |
| 第7著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaok University of Technology (略称： Nagaoka Univ. Technol.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安井 寛治 / Kanji Yasui / ヤスイ カンジ |
| 第8著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaok University of Technology (略称： Nagaoka Univ. Technol.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第8著者 |
| 発表日時 | 2011-08-10 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2011-59 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.176 |
| ページ範囲 | pp.15-20 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-08-03 (CPM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]