講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-11-11 15:45
極微細MOSFETにおけるソース・ドレイン寄生抵抗の高次の効果 ○尹 鍾鐵・廣木 彰(京都工繊大) SDM2011-129 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-129 |
抄録 |
(和) |
極微細MOSFETにおけるソース・ドレイン寄生抵抗の高次の効果を調べた。寄生抵抗の高次の効果を含む飽和ドレイン電流を導出した。その電流式でゲート長が18nmのドレイン電流を計算すると,1次項までの誤差は10.1%,2次までは3.2%,3次までは1.0%であった。この誤差の原因を調べるため,各高次項を3つの無次元化した成分に分解してその成分を比較した。その結果,チャネル抵抗に対するソース・ドレイン抵抗の比が支配的であった。このことから,ナノスケールMOSFETの設計において、チャネル抵抗に対するソース・ドレイン抵抗の比を低減することが重要であることが分かった。 |
(英) |
Higher-order effects of source and drain parasitic resistances have been investigated for nanoscale MOSFETs. We have derived a saturation current model including the higher-order effects of parasitic resistances. The model was applied to 18nm MOSFET. The errors using the 1st order, 2nd order and 3rd order approximation are 10.1%, 3.2% and 1.0%, respectively. Each higher-order term is divided into 3 parts. It is found that the ratio of source and drain parasitic resistances to channel resistance is significant. It is essential to reduce this ratio for nanoscale MOSFET design. |
キーワード |
(和) |
ソース・ドレイン抵抗 / MOSFET解析モデル / ナノスケールMOSFET / / / / / |
(英) |
source and drain resistances / analytical MOSFET model / nanoscale MOSFETs / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 281, SDM2011-129, pp. 81-85, 2011年11月. |
資料番号 |
SDM2011-129 |
発行日 |
2011-11-03 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2011-129 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-129 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2011-11-10 - 2011-11-11 |
開催地(和) |
機械振興会館 |
開催地(英) |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
テーマ(和) |
プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
テーマ(英) |
Process, Device, Circuit Simulations, etc |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2011-11-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
極微細MOSFETにおけるソース・ドレイン寄生抵抗の高次の効果 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Higher-order Effects of Source and Drain Parasitic Resistances for Nanoscale MOSFETs |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
ソース・ドレイン抵抗 / source and drain resistances |
キーワード(2)(和/英) |
MOSFET解析モデル / analytical MOSFET model |
キーワード(3)(和/英) |
ナノスケールMOSFET / nanoscale MOSFETs |
キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
尹 鍾鐵 / Jong Chul Yoon / ユン チョンチョル |
第1著者 所属(和/英) |
京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: Kyoto Institute of Tech.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
廣木 彰 / Akira Hiroki / ヒロキ アキラ |
第2著者 所属(和/英) |
京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: Kyoto Institute of Tech.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2011-11-11 15:45:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2011-129 |
巻番号(vol) |
vol.111 |
号番号(no) |
no.281 |
ページ範囲 |
pp.81-85 |
ページ数 |
5 |
発行日 |
2011-11-03 (SDM) |