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講演抄録/キーワード
講演名 2011-11-11 15:45
極微細MOSFETにおけるソース・ドレイン寄生抵抗の高次の効果
尹 鍾鐵廣木 彰京都工繊大SDM2011-129 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-129
抄録 (和) 極微細MOSFETにおけるソース・ドレイン寄生抵抗の高次の効果を調べた。寄生抵抗の高次の効果を含む飽和ドレイン電流を導出した。その電流式でゲート長が18nmのドレイン電流を計算すると,1次項までの誤差は10.1%,2次までは3.2%,3次までは1.0%であった。この誤差の原因を調べるため,各高次項を3つの無次元化した成分に分解してその成分を比較した。その結果,チャネル抵抗に対するソース・ドレイン抵抗の比が支配的であった。このことから,ナノスケールMOSFETの設計において、チャネル抵抗に対するソース・ドレイン抵抗の比を低減することが重要であることが分かった。 
(英) Higher-order effects of source and drain parasitic resistances have been investigated for nanoscale MOSFETs. We have derived a saturation current model including the higher-order effects of parasitic resistances. The model was applied to 18nm MOSFET. The errors using the 1st order, 2nd order and 3rd order approximation are 10.1%, 3.2% and 1.0%, respectively. Each higher-order term is divided into 3 parts. It is found that the ratio of source and drain parasitic resistances to channel resistance is significant. It is essential to reduce this ratio for nanoscale MOSFET design.
キーワード (和) ソース・ドレイン抵抗 / MOSFET解析モデル / ナノスケールMOSFET / / / / /  
(英) source and drain resistances / analytical MOSFET model / nanoscale MOSFETs / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 281, SDM2011-129, pp. 81-85, 2011年11月.
資料番号 SDM2011-129 
発行日 2011-11-03 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2011-129 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-129

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2011-11-10 - 2011-11-11 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulations, etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2011-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 極微細MOSFETにおけるソース・ドレイン寄生抵抗の高次の効果 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Higher-order Effects of Source and Drain Parasitic Resistances for Nanoscale MOSFETs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ソース・ドレイン抵抗 / source and drain resistances  
キーワード(2)(和/英) MOSFET解析モデル / analytical MOSFET model  
キーワード(3)(和/英) ナノスケールMOSFET / nanoscale MOSFETs  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 尹 鍾鐵 / Jong Chul Yoon / ユン チョンチョル
第1著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: Kyoto Institute of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 廣木 彰 / Akira Hiroki / ヒロキ アキラ
第2著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: Kyoto Institute of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-11-11 15:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2011-129 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.281 
ページ範囲 pp.81-85 
ページ数
発行日 2011-11-03 (SDM) 


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