お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 【重要】研究会・各種料金のお支払い方法変更について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2012-02-07 16:55
シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光
登坂仁一郎西口克彦影島博之藤原 聡NTTED2011-149 SDM2011-166
抄録 (和) 薄層SOI-MOSFETに対し電子トンネル分光を行うことでシリコン層の二次元状態形成を確認した。同様の薄層SOI-MOSFETにpコンタクトを設けたデバイス対して、トンネル電子注入と正孔供給を行うことで、シリコン量子井戸からバンド端に近い発光を確認した。電流注入発光により得られた結果から、薄層SOIによる閉じ込めが発光効率向上に寄与することを示す。更にゲート電界効果においては、SOI-MOSFETsチャネル層に不純物を導入することで巨大なシュタルクシフトが観測されることを示し、薄層シリコン発光における不純物の機能について議論する。 
(英) We demonstrated electron tunneling spectroscopy of thin silicon-on-insulator (SOI) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). The experimental results of tunneling spectroscopy suggest that two-dimensional electron states were formed in thin SOI channel. Similar SOI-MOSFETs with p-type contacts showed near band-edge emission by electroluminescence measurements where electrons and holes are injected from tunneling gate and p-contacts, respectively. The data taken by electroluminescence indicate that carrier confinement due to thin SOI layer results in better light emission efficiency. We show a possible origin of large Stark shift observed in thin SOI-MOSFETs is dopants and discuss features of them in light emission.
キーワード (和) SOI / シリコン / 量子井戸 / トンネル分光 / 発光 / / /  
(英) SOI / Silicon / quatum well / tunneling spectroscopy / light emission / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 425, ED2011-149, pp. 41-46, 2012年2月.
資料番号 ED2011-149 
発行日 2012-01-31 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2011-149 SDM2011-166

研究会情報
研究会 ED SDM  
開催期間 2012-02-07 - 2012-02-08 
開催地(和) 北海道大学 百年記念会館 
開催地(英)  
テーマ(和) 機能ナノデバイスおよび関連技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2012-02-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Light emission from Silicon quantum-well by tunneling current injection 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SOI / SOI  
キーワード(2)(和/英) シリコン / Silicon  
キーワード(3)(和/英) 量子井戸 / quatum well  
キーワード(4)(和/英) トンネル分光 / tunneling spectroscopy  
キーワード(5)(和/英) 発光 / light emission  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 登坂 仁一郎 / Jinichiro Noborisaka / ノボリサカ ジンイチロウ
第1著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone (略称: NTT BRL)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 西口 克彦 / Katsuhiko Nishiguchi / ニシグチ カツヒコ
第2著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone (略称: NTT BRL)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 影島 博之 / Hiroyuki Kageshima / カゲシマ ヒロユキ
第3著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone (略称: NTT BRL)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤原 聡 / Akira Fujiwara / フジワラ アキラ
第4著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
Nippon Telegraph and Telephone (略称: NTT BRL)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第21著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第21著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第22著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第22著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第23著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第23著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第24著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第24著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第25著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第25著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第26著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第26著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第27著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第27著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第28著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第28著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第29著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第29著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第30著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第30著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第31著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第31著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第32著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第32著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第33著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第33著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第34著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第34著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第35著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第35著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第36著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第36著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2012-02-07 16:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2011-149, SDM2011-166 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.425(ED), no.426(SDM) 
ページ範囲 pp.41-46 
ページ数
発行日 2012-01-31 (ED, SDM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会