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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-02-07 16:55 シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光 ○登坂仁一郎・西口克彦・影島博之・藤原 聡（NTT）  ED2011-149 SDM2011-166 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-149 SDM2011-166 |
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| 抄録 | （和） | 薄層SOI-MOSFETに対し電子トンネル分光を行うことでシリコン層の二次元状態形成を確認した。同様の薄層SOI-MOSFETにpコンタクトを設けたデバイス対して、トンネル電子注入と正孔供給を行うことで、シリコン量子井戸からバンド端に近い発光を確認した。電流注入発光により得られた結果から、薄層SOIによる閉じ込めが発光効率向上に寄与することを示す。更にゲート電界効果においては、SOI-MOSFETsチャネル層に不純物を導入することで巨大なシュタルクシフトが観測されることを示し、薄層シリコン発光における不純物の機能について議論する。 |
| （英） | We demonstrated electron tunneling spectroscopy of thin silicon-on-insulator (SOI) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). The experimental results of tunneling spectroscopy suggest that two-dimensional electron states were formed in thin SOI channel. Similar SOI-MOSFETs with p-type contacts showed near band-edge emission by electroluminescence measurements where electrons and holes are injected from tunneling gate and p-contacts, respectively. The data taken by electroluminescence indicate that carrier confinement due to thin SOI layer results in better light emission efficiency. We show a possible origin of large Stark shift observed in thin SOI-MOSFETs is dopants and discuss features of them in light emission. | |
| キーワード | （和） | SOI / シリコン / 量子井戸 / トンネル分光 / 発光 / / / |
| （英） | SOI / Silicon / quatum well / tunneling spectroscopy / light emission / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 425, ED2011-149, pp. 41-46, 2012年2月. | |
| 資料番号 | ED2011-149 | |
| 発行日 | 2012-01-31 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-149 SDM2011-166 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-149 SDM2011-166 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2012-02-07 - 2012-02-08 |
| 開催地（和） | 北海道大学 百年記念会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Light emission from Silicon quantum-well by tunneling current injection |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(3)（和/英） | 量子井戸 / quatum well |
| キーワード(4)（和/英） | トンネル分光 / tunneling spectroscopy |
| キーワード(5)（和/英） | 発光 / light emission |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 登坂 仁一郎 / Jinichiro Noborisaka / ノボリサカ ジンイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone (略称： NTT BRL) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西口 克彦 / Katsuhiko Nishiguchi / ニシグチ カツヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone (略称： NTT BRL) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 影島 博之 / Hiroyuki Kageshima / カゲシマ ヒロユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone (略称： NTT BRL) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤原 聡 / Akira Fujiwara / フジワラ アキラ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone (略称： NTT BRL) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-02-07 16:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-149, SDM2011-166 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.425(ED), no.426(SDM) |
| ページ範囲 | pp.41-46 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-01-31 (ED, SDM) |
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