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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-02-08 09:55 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法を用いた直列型ナノギャップの集積化と特性制御 ○伊藤光樹・秋元俊介・白樫淳一（東京農工大）  ED2011-151 SDM2011-168 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-151 SDM2011-168 |
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| 抄録 | （和） | 我々は，直列に接続された複数のナノギャップに対して，電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション（アクティベーション）を用いて，電気的特性の同時制御について検討を行った．本手法はナノギャップでの電界放射電流により誘起されるエレクトロマイグレーションに基づいており，直列に接続された複数のナノギャップのトンネル抵抗は，F-N電界放射電流の一括同時通電により制御される．この際，ギャップ近傍の原子は電子流により原子移動が促進され，それぞれのナノギャップにおけるソース電極（陰極）からドレイン電極（陽極）へと移動する．結果として，ギャップ間に原子が堆積することで，アクティベーションの進行に伴い各ナノギャップが狭窄化され，初期ギャップ幅が異なるにもかかわらず素子特性の均一化が進行し，電気的特性をself-regulatedに制御することが可能であると考えられる．今回は，直列に接続された3つのNiナノギャップに対し室温下にて本手法を適用し，各設定電流ISにおいてそれぞれのナノギャップのI-V特性およびトンネル抵抗を詳細に測定することで，アクティベーションに伴う直列型ナノギャップの電気的特性の変化について検討した． |
| （英） | We present a simple and easy technique for the simultaneous control of electrical properties of multiple Ni nanogaps. This technique is based on electromigration induced by a field emission current, which is so-called ‘‘activation’’. The tuning of tunnel resistance of nanogaps was simultaneously achieved by passing a Fowler-Nordheim (F-N) field emission current through three initial Ni nanogaps connected in series. The Ni nanogaps having an asymmetrical shape with an initial gap separation of a few tens of nm were fabricated by electron-beam (EB) lithography and lift-off process. By performing the activation, current-voltage properties of series-connected nanogaps were simultaneously varied from ‘‘insulating’’ to ‘‘metallic’’ through ‘‘tunneling’’ properties with increasing the preset current of the activation. Furthermore, the tunnel resistance, which is defined as the resistance in the low-voltage regime, was measured after performing the activation at room temperature. The tunnel resistance of simultaneously activated nanogaps decreased from the order of 100 TΩ to 100 kΩ with increasing the preset current from 1 nA to 30 μA. These results clearly indicate that the electrical properties of series-connected nanogaps can be simultaneously tuned by the activation procedure, despite the difference in the samples having different initial nanogap separation distances. | |
| キーワード | （和） | エレクトロマイグレーション / 電界放射電流 / ナノギャップ / 単電子トランジスタ / 集積化 / / / |
| （英） | electromigration / field emission current / nanogap / single-electron transistor / integration / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 425, ED2011-151, pp. 53-58, 2012年2月. | |
| 資料番号 | ED2011-151 | |
| 発行日 | 2012-01-31 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-151 SDM2011-168 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-151 SDM2011-168 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2012-02-07 - 2012-02-08 |
| 開催地（和） | 北海道大学 百年記念会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法を用いた直列型ナノギャップの集積化と特性制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simultaneous Control of Series-Connected Nanogaps by Field-Emission-Induced Electromigration |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | エレクトロマイグレーション / electromigration |
| キーワード(2)（和/英） | 電界放射電流 / field emission current |
| キーワード(3)（和/英） | ナノギャップ / nanogap |
| キーワード(4)（和/英） | 単電子トランジスタ / single-electron transistor |
| キーワード(5)（和/英） | 集積化 / integration |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 光樹 / Mitsuki Ito / イトウ ミツキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo Univ. of Agr. & Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 秋元 俊介 / Shunsuke Akimoto / アキモト シュンスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo Univ. of Agr. & Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白樫 淳一 / Jun-ichi Shirakashi / シラカシ ジュンイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo Univ. of Agr. & Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-02-08 09:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-151, SDM2011-168 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.425(ED), no.426(SDM) |
| ページ範囲 | pp.53-58 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-01-31 (ED, SDM) |
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