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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-03-05 13:30 ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜 ○清水秀治（大陽日酸/東大）・嶋 紘平・百瀬 健（東大）・小林芳彦（大陽日酸）・霜垣幸浩（東大）  SDM2011-180 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-180 |
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| 抄録 | （和） | ULSIの微細化に伴う配線抵抗の増大を抑えるため、新たな材料が必要とされている。特に、Cu配線の側壁に形成されるバリヤ/ライナー膜は高い抵抗率を従来有していることから、配線の信頼性を損なうことなくバリヤ/ライナー膜を薄膜化・低抵抗することが求められている。本研究では、Cuとの密着性の観点から材料選定をおこなった上でW添加Co膜［Co(W)膜］に着目し、化学気相成長法（CVD）および原子層堆積法（ALD）によるCo(W)膜の製膜手法確立に成功した。そして、Co(W)膜のCu拡散バリヤ性と60～90 micro-ohm-cmという低い抵抗率を確認し、単層でバリヤ/ライナーとして働くCo(W)が次世代Cu配線にとって有望な材料であることを見出した。 |
| （英） | The effective resistivity of interconnects are predicted to be increased by ULSI shrinking. Barrier/liner layer formed on the sides of Cu lines and via is required to be thinner and to have lower resistivity than conventional one. In our research, cobalt film with tungsten addition [Co(W) film] has been focused on from the view point of good adhesion with Cu. We have succeeded in forming Co(W) films by chemical vapor deposition (CVD) and atomic layer deposition (ALD). Co(W) films were confirmed to have barrier property against Cu diffusion and low resistivity of 60-90 micro-ohm-cm, which indicates that Co(W) can be a promising material for next-generation Cu interconnects as a single-layered barrier/liner. | |
| キーワード | （和） | 極薄バリア / ライナー / 密着層 / 配線幅縮小 / CVD/ALD / Cu拡散 / / |
| （英） | Thinner barrier / liner / cladding / scaling / CVD/ALD / Cu diffusion / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 463, SDM2011-180, pp. 25-29, 2012年3月. | |
| 資料番号 | SDM2011-180 | |
| 発行日 | 2012-02-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-180 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-180 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-03-05 - 2012-03-05 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | Wiring and Assembly Technology, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-03-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Single-layered barrier/liner Co(W) by ALD/CVD for next generation ULSI-Cu interconnect |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 極薄バリア / Thinner barrier |
| キーワード(2)（和/英） | ライナー / liner |
| キーワード(3)（和/英） | 密着層 / cladding |
| キーワード(4)（和/英） | 配線幅縮小 / scaling |
| キーワード(5)（和/英） | CVD/ALD / CVD/ALD |
| キーワード(6)（和/英） | Cu拡散 / Cu diffusion |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 秀治 / Hideharu Shimizu / シミズ ヒデハル |
| 第1著者 所属（和/英） | 大陽日酸/東京大学 (略称： 大陽日酸/東大) Taiyo Nippon Sanso/The Univ. of Tokyo (略称： Taiyo Nippon Sanso/Tokyo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 嶋 紘平 / Kohei Shima / シマ コウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) Univ. of Tokyo (略称： Tokyo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 百瀬 健 / Takeshi Momose / モモセ タケシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) Univ. of Tokyo (略称： Tokyo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 芳彦 / Yoshihiko Kobayashi / コバヤシ ヨシヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大陽日酸 (略称： 大陽日酸) Taiyo Nippon Sanso (略称： Taiyo Nippon Sanso) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 霜垣 幸浩 / Yukihiro Shimogaki / シモガキ ユキヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) Univ. of Tokyo (略称： Tokyo Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-03-05 13:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-180 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.463 |
| ページ範囲 | pp.25-29 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-02-27 (SDM) |
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