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講演抄録/キーワード
講演名 2012-06-21 16:35
微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案
田村雄太吉原 亮角嶋邦之パールハット アヘメト片岡好則西山 彰杉井信之筒井一生名取研二服部健雄岩井 洋東工大SDM2012-59 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-59
抄録 (和) 本研究ではシリサイド形成時の界面制御方法としてNi/Si積層構造を提案する。Ni/Si積層構造によって形成した積層$NiSi_2$は界面反応を制御し平坦な界面を得ることができ、物理的・電気的にも幅広い温度領域で安定した特性であることを示した。またシリサイド/Si基板界面に不純物を導入することでショットキー障壁の変調が可能であり、不純物を導入していない場合と同様に平坦界面・安定な特性を有することを示した。そして微細3次元デバイスへの応用に向けて、積層$NiSi_2$を用いることでSi Finに対する界面反応が制御可能であることを示し、SOIシリサイドショットキーS/D MOSFETのS/Dに不純物導入積層$NiSi_2$を用いることでアンバイポーラ特性を抑制できることを示した。 
(英) This paper presents Ni/Si stacked-structure as interface control for silicidation. An atomically flat $NiSi_2$ film interface on both Si substrate and Si Fin was achieved by Ni/Si stacked-structure and stable physical and electrical properties in a wide process-temperature window were maintained. Schottky barrier height tuning capability is successfully demonstrated with P or B incorporation while presenting thermal stability. Furthermore, suppression of ambipolar behavior in SOI silicide Schottky S/D MOSFET is confirmed by Schottky barrier height moduration.
キーワード (和) 積層構造 / シリサイド / 界面制御 / ショットキー障壁 / / / /  
(英) stacked-structure / silicide / interface control / Schottky barrier height / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 92, SDM2012-59, pp. 87-92, 2012年6月.
資料番号 SDM2012-59 
発行日 2012-06-14 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2012-59 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-59

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2012-06-21 - 2012-06-21 
開催地(和) 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Interface controlled silicide Schottky S/D for future 3D devices 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 積層構造 / stacked-structure  
キーワード(2)(和/英) シリサイド / silicide  
キーワード(3)(和/英) 界面制御 / interface control  
キーワード(4)(和/英) ショットキー障壁 / Schottky barrier height  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 田村 雄太 / Yuta Tamura / タムラ ユウタ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉原 亮 / Ryo Yoshihara / ヨシハラ リョウ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 角嶋 邦之 / Kuniyuki Kakushima / カクシマ クニユキ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) パールハット アヘメト / Parhat Ahmet / パールハット アヘメト
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 片岡 好則 / Yoshinori Kataoka / カタオカ ヨシノリ
第5著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 西山 彰 / Akira Nishiyama / ニシヤマ アキラ
第6著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉井 信之 / Nobuyuki Sugii / スギイ ノブユキ
第7著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 筒井 一生 / Kazuo Tsutsui / ツツイ カズオ
第8著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 名取 研二 / Kenji Natori / ナトリ ケンジ
第9著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 服部 健雄 / Takeo Hattori / ハットリ タケオ
第10著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩井 洋 / Hiroshi Iwai / イワイ ヒロシ
第11著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-06-21 16:35:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2012-59 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.92 
ページ範囲 pp.87-92 
ページ数
発行日 2012-06-14 (SDM) 


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