講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-06-21 16:35
微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案 ○田村雄太・吉原 亮・角嶋邦之・パールハット アヘメト・片岡好則・西山 彰・杉井信之・筒井一生・名取研二・服部健雄・岩井 洋(東工大) SDM2012-59 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-59 |
抄録 |
(和) |
本研究ではシリサイド形成時の界面制御方法としてNi/Si積層構造を提案する。Ni/Si積層構造によって形成した積層$NiSi_2$は界面反応を制御し平坦な界面を得ることができ、物理的・電気的にも幅広い温度領域で安定した特性であることを示した。またシリサイド/Si基板界面に不純物を導入することでショットキー障壁の変調が可能であり、不純物を導入していない場合と同様に平坦界面・安定な特性を有することを示した。そして微細3次元デバイスへの応用に向けて、積層$NiSi_2$を用いることでSi Finに対する界面反応が制御可能であることを示し、SOIシリサイドショットキーS/D MOSFETのS/Dに不純物導入積層$NiSi_2$を用いることでアンバイポーラ特性を抑制できることを示した。 |
(英) |
This paper presents Ni/Si stacked-structure as interface control for silicidation. An atomically flat $NiSi_2$ film interface on both Si substrate and Si Fin was achieved by Ni/Si stacked-structure and stable physical and electrical properties in a wide process-temperature window were maintained. Schottky barrier height tuning capability is successfully demonstrated with P or B incorporation while presenting thermal stability. Furthermore, suppression of ambipolar behavior in SOI silicide Schottky S/D MOSFET is confirmed by Schottky barrier height moduration. |
キーワード |
(和) |
積層構造 / シリサイド / 界面制御 / ショットキー障壁 / / / / |
(英) |
stacked-structure / silicide / interface control / Schottky barrier height / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 92, SDM2012-59, pp. 87-92, 2012年6月. |
資料番号 |
SDM2012-59 |
発行日 |
2012-06-14 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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