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講演抄録/キーワード
講演名 2012-06-27 14:15
Control Effect of New Optimized Structure of Planar Thin Floating Gate (FG) NAND Flash to Fringing Field
Do-Bin KimYoon KimSe Hwan ParkWandong KimJoo Yun SeoSeung-Hyun KimByung-Gook ParkSeoul National Univ.)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) As cell size of floating gate (FG) type NAND flash memory shrinks, formation of structure which has control gate wrapping around FG has become difficult. Therefore, planar thin FG NAND device has been proposed. However, on scaled planar gate type, it has been reported that there are some problems with obtaining sufficient memory window as well as subthreshold slope (SS) degradation due to unwanted fringing field from control gate. In this paper, we suggest new optimized structure that can solve these problems, and demonstrate its advantages by using 3D TCAD simulation. 
(英) As cell size of floating gate (FG) type NAND flash memory shrinks, formation of structure which has control gate wrapping around FG has become difficult. Therefore, planar thin FG NAND device has been proposed. However, on scaled planar gate type, it has been reported that there are some problems with obtaining sufficient memory window as well as subthreshold slope (SS) degradation due to unwanted fringing field from control gate. In this paper, we suggest new optimized structure that can solve these problems, and demonstrate its advantages by using 3D TCAD simulation.
キーワード (和) Planar Thin FG NAND flash memory / subthreshold slope(SS) / memory window / / / / /  
(英) Planar Thin FG NAND flash memory / subthreshold slope(SS) / memory window / / / / /  
文献情報 信学技報
資料番号  
発行日  
ISSN  
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研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2012-06-27 - 2012-06-29 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawa Seinen-kaikan 
テーマ(和) 2012 先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋ワークショップ 
テーマ(英) 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-06-SDM-ED 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Control Effect of New Optimized Structure of Planar Thin Floating Gate (FG) NAND Flash to Fringing Field 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Planar Thin FG NAND flash memory / Planar Thin FG NAND flash memory  
キーワード(2)(和/英) subthreshold slope(SS) / subthreshold slope(SS)  
キーワード(3)(和/英) memory window / memory window  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) Do-Bin Kim / Do-Bin Kim /
第1著者 所属(和/英) Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) Yoon Kim / Yoon Kim /
第2著者 所属(和/英) Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Se Hwan Park / Se Hwan Park /
第3著者 所属(和/英) Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) Wandong Kim / Wandong Kim /
第4著者 所属(和/英) Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) Joo Yun Seo / Joo Yun Seo /
第5著者 所属(和/英) Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) Seung-Hyun Kim / Seung-Hyun Kim /
第6著者 所属(和/英) Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) Byung-Gook Park / Byung-Gook Park /
第7著者 所属(和/英) Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-06-27 14:15:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 SDM 
資料番号  
巻番号(vol) vol. 
号番号(no)  
ページ範囲  
ページ数  
発行日  


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