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講演抄録/キーワード
講演名 2012-06-29 10:15
Novel Tunneling Field-Effect Transistor with Sigma-shape Embedded SiGe Sources and Recessed Channel
Min-Chul SunSNU and SEC)・○Sang Wan KimGaram KimHyun Woo KimHyungjin KimJong-Ho LeeHyungcheol ShinByung-Gook ParkSNU)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) A novel tunneling field-effect transistor (TFET) featuring the sigma-shape embedded SiGe sources and recessed channel is proposed. The gate facing the source effectively focuses the E-field at the tip of the source and eliminates the gradual turn-on issue of planar TFETs. The fabrication scheme modified from the state-of-art 45 nm/32 nm CMOS technology flows provides a unique benefit in the co-integrability and the control of ID-VGS characteristics. The feasibility is verified with TCAD process simulation of the device with 14 nm of the gate dimension. The device simulation shows 5-order change in the drain current with a gate bias change less than 300 mV. 
(英) A novel tunneling field-effect transistor (TFET) featuring the sigma-shape embedded SiGe sources and recessed channel is proposed. The gate facing the source effectively focuses the E-field at the tip of the source and eliminates the gradual turn-on issue of planar TFETs. The fabrication scheme modified from the state-of-art 45 nm/32 nm CMOS technology flows provides a unique benefit in the co-integrability and the control of ID-VGS characteristics. The feasibility is verified with TCAD process simulation of the device with 14 nm of the gate dimension. The device simulation shows 5-order change in the drain current with a gate bias change less than 300 mV.
キーワード (和) TFET / Compatibility to CMOS technology flow / Sigma-shape embedded SiGe source / Recessed channel / / / /  
(英) TFET / Compatibility to CMOS technology flow / Sigma-shape embedded SiGe source / Recessed channel / / / /  
文献情報 信学技報
資料番号  
発行日  
ISSN  
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研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2012-06-27 - 2012-06-29 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawa Seinen-kaikan 
テーマ(和) 2012 先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋ワークショップ 
テーマ(英) 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-06-SDM-ED 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Novel Tunneling Field-Effect Transistor with Sigma-shape Embedded SiGe Sources and Recessed Channel 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) TFET / TFET  
キーワード(2)(和/英) Compatibility to CMOS technology flow / Compatibility to CMOS technology flow  
キーワード(3)(和/英) Sigma-shape embedded SiGe source / Sigma-shape embedded SiGe source  
キーワード(4)(和/英) Recessed channel / Recessed channel  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) Min-Chul Sun / Min-Chul Sun /
第1著者 所属(和/英) Seoul National University and Samsung Electronics Co. Ltd. (略称: SNU and SEC)
Seoul National University and Samsung Electronics Co. Ltd. (略称: SNU and SEC)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) Sang Wan Kim / Sang Wan Kim /
第2著者 所属(和/英) Seoul National University (略称: SNU)
Seoul National University (略称: SNU)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Garam Kim / Garam Kim /
第3著者 所属(和/英) Seoul National University (略称: SNU)
Seoul National University (略称: SNU)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) Hyun Woo Kim / Hyun Woo Kim /
第4著者 所属(和/英) Seoul National University (略称: SNU)
Seoul National University (略称: SNU)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) Hyungjin Kim / Hyungjin Kim /
第5著者 所属(和/英) Seoul National University (略称: SNU)
Seoul National University (略称: SNU)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) Jong-Ho Lee / Jong-Ho Lee /
第6著者 所属(和/英) Seoul National University (略称: SNU)
Seoul National University (略称: SNU)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) Hyungcheol Shin / Hyungcheol Shin /
第7著者 所属(和/英) Seoul National University (略称: SNU)
Seoul National University (略称: SNU)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) Byung-Gook Park / Byung-Gook Park /
第8著者 所属(和/英) Seoul National University (略称: SNU)
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講演者 第2著者 
発表日時 2012-06-29 10:15:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 SDM 
資料番号  
巻番号(vol) vol. 
号番号(no)  
ページ範囲  
ページ数  
発行日  


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