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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-29 11:05 III-V族窒化物薄膜の太陽電池応用 ○角谷正友・Liwen Sang・Mickael Lozac'h（物質・材料研究機構）  ED2012-67 CPM2012-124 LQE2012-95 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-67 CPM2012-124 LQE2012-95 |
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| 抄録 | （和） | III-V族窒化物のワイドギャップ性を利用した太陽電池構成を提案する。既存の太陽電池上にIII-V族窒化物太陽電池を設置し、２つの太陽電池から独立に電力を得ることで（4端子素子）、電流マッチングを考慮せずに変換効率の向上を図れる。III-V族窒化物太陽電池用に厚い（0.3μm）InGaN薄膜の欠陥を評価したところ、混晶化にともないGa空孔および酸素不純物との複合欠陥が増加することがわかった。p-InGaNと活性層であるi-InGaNとの間に800℃で成長した2nm程度のAlN極薄膜を挿入することで変換効率が向上した。転位や点欠陥が低減されてp-i界面の高品質化が特性向上につながったと思われる。 |
| （英） | We have proposed the solar cell system composing III-V nitride film with wider band gap. III-V nitride solar cell is mechanically stacked with transparent glue on conventional InGaP solar cell, and photovoltaic power is independently obtained through 4 terminals, which would increase conversion efficiency. Current matching, which is crucial in tandem –type solar cell, is not taken into account in this structure. Defects in InGaN film with thickness of 0.3m for applying to solar cell were characterized by using deep level optical spectroscopy. Ga vacancy and/or its complex with oxygen impurities must be enhanced by alloying InN to GaN. Conversion efficiency of p-i-n III-V nitride solar cell was improved by inserting AlN layer with ~2nm of thickness grown at 800oC at the interface between p- and i- layers. Dislocation and point defects must be terminated by the AlN thin layer, which could improve the structure at p-i interface. | |
| キーワード | （和） | III-V族窒化物 / 太陽電池 / 点欠陥 / DLOS / / / / |
| （英） | III-V nitride / Solar cell / point defect / DLOS / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 328, CPM2012-124, pp. 9-12, 2012年11月. | |
| 資料番号 | CPM2012-124 | |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-67 CPM2012-124 LQE2012-95 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-67 CPM2012-124 LQE2012-95 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2012-11-29 - 2012-11-30 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学 |
| 開催地（英） | Osaka City University |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2012-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | III-V族窒化物薄膜の太陽電池応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Applicationo of III-V nitride films to photovoltaic device |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | III-V族窒化物 / III-V nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 太陽電池 / Solar cell |
| キーワード(3)（和/英） | 点欠陥 / point defect |
| キーワード(4)（和/英） | DLOS / DLOS |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角谷 正友 / Masatomo Sumiya / スミヤ マサトモ |
| 第1著者 所属（和/英） | (独)物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Liwen Sang / Liwen Sang / |
| 第2著者 所属（和/英） | (独)物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Mickael Lozac'h / Mickael Lozac'h / |
| 第3著者 所属（和/英） | (独)物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-29 11:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2012-67, CPM2012-124, LQE2012-95 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.327(ED), no.328(CPM), no.329(LQE) |
| ページ範囲 | pp.9-12 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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