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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-29 16:15 Effect of Passivation on Drain Current Dispersion for AlGaN/GaN HEMTs ○Md. Tanvir Hasan・Hirokuni Tokuda・Masaaki Kuzuhara（Univ. of Fukui）  ED2012-76 CPM2012-133 LQE2012-104 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-76 CPM2012-133 LQE2012-104 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN/GaN HEMTs with different passivation layers were studied using pulsed I-V system. The maximum drain current showed higher values at pulsed conditions as compared with DC for SiN passivation, and vice versa for Al2O3, SiO2 and without passivation. The drain current decreased with increasing the on-state time for SiN, which indicated that the most probable location of trap was at the AlGaN layer beneath the gate. Increasing tendency of drain current with increasing on-state time indicated that the surface traps were dominant for this behavior, which was the case for Al2O3, SiO2, and without passivation. |
| （英） | AlGaN/GaN HEMTs with different passivation layers were studied using pulsed I-V system. The maximum drain current showed higher values at pulsed conditions as compared with DC for SiN passivation, and vice versa for Al2O3, SiO2 and without passivation. The drain current decreased with increasing the on-state time for SiN, which indicated that the most probable location of trap was at the AlGaN layer beneath the gate. Increasing tendency of drain current with increasing on-state time indicated that the surface traps were dominant for this behavior, which was the case for Al2O3, SiO2, and without passivation. | |
| キーワード | （和） | AlGaN/GaN HEMTs / current dispersion / passivation / pulsed IV system / / / / |
| （英） | AlGaN/GaN HEMTs / current dispersion / passivation / pulsed IV system / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 327, ED2012-76, pp. 45-50, 2012年11月. | |
| 資料番号 | ED2012-76 | |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-76 CPM2012-133 LQE2012-104 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-76 CPM2012-133 LQE2012-104 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2012-11-29 - 2012-11-30 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学 |
| 開催地（英） | Osaka City University |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Passivation on Drain Current Dispersion for AlGaN/GaN HEMTs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN HEMTs / AlGaN/GaN HEMTs |
| キーワード(2)（和/英） | current dispersion / current dispersion |
| キーワード(3)（和/英） | passivation / passivation |
| キーワード(4)（和/英） | pulsed IV system / pulsed IV system |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Md. Tanvir Hasan / Md. Tanvir Hasan / |
| 第1著者 所属（和/英） | University of Fukui (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Hirokuni Tokuda / Hirokuni Tokuda / |
| 第2著者 所属（和/英） | University of Fukui (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Masaaki Kuzuhara / Masaaki Kuzuhara / |
| 第3著者 所属（和/英） | University of Fukui (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-29 16:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-76, CPM2012-133, LQE2012-104 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.327(ED), no.328(CPM), no.329(LQE) |
| ページ範囲 | pp.45-50 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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