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講演抄録/キーワード
講演名 2013-02-04 13:10
原子移動型スイッチを使ったスマート配線技術と低電力再構成回路への応用
多田宗弘阪本利司宮村 信伴野直樹岡本浩一郎井口憲幸波田博光超低電圧デバイス技研組合SDM2012-152 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-152
抄録 (和) 多層配線のスケーリング則が限界に達しつつある今、多層配線中に機能素子(バックエンドデバイス)を搭載することで、微細化することなくULSIのエネルギー効率を改善することが期待されている。本稿では、オン/オフ比に優れる原子移動型スイッチを用いることで、ロジック信号の伝搬先の変更を布線論理にて行うスマート配線技術について説明し、その信頼性の改善手法および低電力再構成可能回路への応用について述べる。 
(英) Multi-level interconnect technology in ULSI is now facing the difficulty of the scaling limit. “BEOL devices” having a new functionality embedded in Cu-BEOL have much attention to improve the ULSI power efficiency without the conventional scaling. In this work, we focus on smart interconnect technology using Atom switch as nonvolatile, intelligent router, applicable for the low power programmable logic device with a hard-wired architecture. The improvement in the ON and OFF state reliabilities of Atom switch is discussed with the view point of routing signal application.
キーワード (和) Cu配線 / 原子スイッチ / バックエンドデバイス / 不揮発 / 低電力 / プログラマブルロジック / /  
(英) Cu-BEOL / Atom switch / BEOL devices / nonvolatile / low power / programmable logic device(PLD) / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 427, SDM2012-152, pp. 9-14, 2013年2月.
資料番号 SDM2012-152 
発行日 2013-01-28 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2012-152 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-152

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2013-02-04 - 2013-02-04 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 配線・実装技術と関連材料技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-02-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 原子移動型スイッチを使ったスマート配線技術と低電力再構成回路への応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Smart interconnect technology using atom switch for low-power programmable Logic 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Cu配線 / Cu-BEOL  
キーワード(2)(和/英) 原子スイッチ / Atom switch  
キーワード(3)(和/英) バックエンドデバイス / BEOL devices  
キーワード(4)(和/英) 不揮発 / nonvolatile  
キーワード(5)(和/英) 低電力 / low power  
キーワード(6)(和/英) プログラマブルロジック / programmable logic device(PLD)  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 多田 宗弘 / Munehiro Tada /
第1著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power assosiation & project (略称: LEAP)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 阪本 利司 / Toshitsugu Sakamoto /
第2著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power assosiation & project (略称: LEAP)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮村 信 / Makoto Miyamura /
第3著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power assosiation & project (略称: LEAP)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 伴野 直樹 / Naoki Banno /
第4著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power assosiation & project (略称: LEAP)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡本 浩一郎 / Koichiro Okamoto /
第5著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power assosiation & project (略称: LEAP)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 井口 憲幸 / Noriyuki Iguchi /
第6著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power assosiation & project (略称: LEAP)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 波田 博光 / Hiromitsu Hada /
第7著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power assosiation & project (略称: LEAP)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-02-04 13:10:00 
発表時間 40分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2012-152 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.427 
ページ範囲 pp.9-14 
ページ数
発行日 2013-01-28 (SDM) 


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