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講演抄録/キーワード
講演名 2013-11-14 15:15
温度サイクル環境起因のSnウィスカ成長一考察
伊藤貞則イトケン事務所R2013-77
抄録 (和) 温度サイクル環境起因のSnウィスカは一般にカール状に成長するため直線長さは短いが,条件に
よっては真直ぐに長く伸びて極間短絡することがある.この条件についてめっきの下地金属の種類,めっき厚,めっき浴,使用雰囲気,温度プロファイルについて検討した.その結果,無酸化雰囲気
条件では真直ぐに伸びること,下地金属の種類,めっき厚,めっき浴,温度プロファイルの形状に
よっては何百μmという長く伸びることがわかった. 
(英) Sn whisker grow up like curl shape under the thermal cycle test. However in some conditions, it grow up straight shape. To clarify the condition, we studied material kinds under the plate, plate thickness, plate bath, atmosphere and thermal profile. As the conclusion, it grow up straight shape under no-oxidation atmosphere. It grow up as hundreds micro meters because of the combination among material kinds under the plate, plate thickness, plate bath, atmosphere and thermal profile.
キーワード (和) 錫ウィスカ / 温度サイクル環境 / 無酸化雰囲気 / / / / /  
(英) Sn whisker / thermal cycle condition / no-oxidation atmosphere / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 289, R2013-77, pp. 17-20, 2013年11月.
資料番号 R2013-77 
発行日 2013-11-07 (R) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード R2013-77

研究会情報
研究会 R  
開催期間 2013-11-14 - 2013-11-14 
開催地(和) 中央電気倶楽部 
開催地(英)  
テーマ(和) 半導体と電子デバイスの信頼性,信頼性一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 R 
会議コード 2013-11-R 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 温度サイクル環境起因のSnウィスカ成長一考察 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Study on Sn-whisker growth by thermal cycle 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 錫ウィスカ / Sn whisker  
キーワード(2)(和/英) 温度サイクル環境 / thermal cycle condition  
キーワード(3)(和/英) 無酸化雰囲気 / no-oxidation atmosphere  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 貞則 / Sadanori Itou / イトウ サダノリ
第1著者 所属(和/英) イトケン事務所 (略称: イトケン事務所)
Itoken office (略称: Itoken office)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-11-14 15:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 R 
資料番号 R2013-77 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.289 
ページ範囲 pp.17-20 
ページ数
発行日 2013-11-07 (R) 


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