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講演抄録/キーワード
講演名 2013-11-14 10:50
[招待講演]2013 SISPADレビュー ~ 併設ワークショップ1 ~
植松真司慶大SDM2013-100
抄録 (和) 2013年9月イギリス グラスゴーで開催されたSISPAD 2013において併設されたワークショップ1 "Modeling of Reliability and Degradation of Nanoelectronic Devices"から、デバイス信頼性、デバイス劣化のシミュレーション技術の最新動向の概略を紹介する。 
(英) A workshop entitled "Modeling of Reliability and Degradation of Nanoelectronic Devices" was held on September 2, 2013 in Glasgow, Scotland, as a part of SISPAD 2013. A brief summary of the workshop is reported, focusing on the latest trends in simulation of device reliability and degradation.
キーワード (和) SISPAD / ワークショップ / デバイス信頼性 / デバイス劣化 / デバイスばらつき / / /  
(英) SISPAD / Workshop / Reliability / Degradation / Variability / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 296, SDM2013-100, pp. 5-8, 2013年11月.
資料番号 SDM2013-100 
発行日 2013-11-07 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード SDM2013-100

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2013-11-14 - 2013-11-15 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulations, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 2013 SISPADレビュー 
サブタイトル(和) 併設ワークショップ1 
タイトル(英) 2013 SISPAD Review 
サブタイトル(英) Workshop 1 
キーワード(1)(和/英) SISPAD / SISPAD  
キーワード(2)(和/英) ワークショップ / Workshop  
キーワード(3)(和/英) デバイス信頼性 / Reliability  
キーワード(4)(和/英) デバイス劣化 / Degradation  
キーワード(5)(和/英) デバイスばらつき / Variability  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 植松 真司 / Masashi Uematsu / ウエマツ マサシ
第1著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-11-14 10:50:00 
発表時間 45分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2013-100 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.296 
ページ範囲 pp.5-8 
ページ数
発行日 2013-11-07 (SDM) 


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