講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-11-14 10:50
[招待講演]2013 SISPADレビュー ~ 併設ワークショップ1 ~ ○植松真司(慶大) SDM2013-100 |
抄録 |
(和) |
2013年9月イギリス グラスゴーで開催されたSISPAD 2013において併設されたワークショップ1 "Modeling of Reliability and Degradation of Nanoelectronic Devices"から、デバイス信頼性、デバイス劣化のシミュレーション技術の最新動向の概略を紹介する。 |
(英) |
A workshop entitled "Modeling of Reliability and Degradation of Nanoelectronic Devices" was held on September 2, 2013 in Glasgow, Scotland, as a part of SISPAD 2013. A brief summary of the workshop is reported, focusing on the latest trends in simulation of device reliability and degradation. |
キーワード |
(和) |
SISPAD / ワークショップ / デバイス信頼性 / デバイス劣化 / デバイスばらつき / / / |
(英) |
SISPAD / Workshop / Reliability / Degradation / Variability / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 296, SDM2013-100, pp. 5-8, 2013年11月. |
資料番号 |
SDM2013-100 |
発行日 |
2013-11-07 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2013-100 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2013-11-14 - 2013-11-15 |
開催地(和) |
機械振興会館 |
開催地(英) |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
テーマ(和) |
プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
テーマ(英) |
Process, Device, Circuit Simulations, etc. |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2013-11-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
2013 SISPADレビュー |
サブタイトル(和) |
併設ワークショップ1 |
タイトル(英) |
2013 SISPAD Review |
サブタイトル(英) |
Workshop 1 |
キーワード(1)(和/英) |
SISPAD / SISPAD |
キーワード(2)(和/英) |
ワークショップ / Workshop |
キーワード(3)(和/英) |
デバイス信頼性 / Reliability |
キーワード(4)(和/英) |
デバイス劣化 / Degradation |
キーワード(5)(和/英) |
デバイスばらつき / Variability |
キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
植松 真司 / Masashi Uematsu / ウエマツ マサシ |
第1著者 所属(和/英) |
慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2013-11-14 10:50:00 |
発表時間 |
45分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2013-100 |
巻番号(vol) |
vol.113 |
号番号(no) |
no.296 |
ページ範囲 |
pp.5-8 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2013-11-07 (SDM) |
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