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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-11-15 15:25 MOSFETの実効チャネル長の再考 ○寺田和夫・讃井和彦・辻 勝弘（広島市大）  SDM2013-115 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-115 |
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| 抄録 | （和） | チャネル抵抗法を用いてMOSFETの実効チャネル長(LEFF)のゲート電圧依存性を抽出した．その結果，LEFFはチャネルの不純物分布の不均一性とゲート電圧の強い影響を受け，ソースドレイン接合と基板電圧の弱い影響を受けた．これらの性質を考慮して，設計と製造の両技術者が容易に共通理解を得るような新しいチャネル長の定義を，均一チャネルMOSFETのドレイン電流近似式を用いて，提案する． |
| （英） | The effective MOSFET channel length (LEFF) as a function of gate voltage is extracted by channel resistance method. It is observed that LEFF is strongly affected by the channel dopant non-uniformity and gate voltage. It is also weakly affected by source-drain junction and substrate voltage. Taking these LEFF properties into consideration we propose new channel length definition using the classical current equation for the MOSFET which has uniform channel, in order to provide the common interpretation for both design and technology engineers | |
| キーワード | （和） | MOSFET / チャネル長 / チャネル抵抗法 / ハロー / エクステンション / / / |
| （英） | MOSFET / Channel Length / Channel Resistance Method / Halo / Extension / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 296, SDM2013-115, pp. 87-91, 2013年11月. | |
| 資料番号 | SDM2013-115 | |
| 発行日 | 2013-11-07 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2013-115 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2013-115 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2013-11-14 - 2013-11-15 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulations, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2013-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOSFETの実効チャネル長の再考 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reconsideration of Effective MOSFET Channel Length |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | チャネル長 / Channel Length |
| キーワード(3)（和/英） | チャネル抵抗法 / Channel Resistance Method |
| キーワード(4)（和/英） | ハロー / Halo |
| キーワード(5)（和/英） | エクステンション / Extension |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺田 和夫 / Kazuo Terada / テラダ カズオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 広島市立大学 (略称： 広島市大) Hiroshima City University (略称： Hiroshima City Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 讃井 和彦 / Kazuhiko Sanai / サナイ カズヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 広島市立大学 (略称： 広島市大) Hiroshima City University (略称： Hiroshima City Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 辻 勝弘 / Katsuhiro Tsuji / ツジ カツヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 広島市立大学 (略称： 広島市大) Hiroshima City University (略称： Hiroshima City Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-11-15 15:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2013-115 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.296 |
| ページ範囲 | pp.87-91 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2013-11-07 (SDM) |
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