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講演抄録/キーワード
講演名 2013-11-15 13:25
電気化学的手法による超高記録密度強磁性ナノドットアレイの形成及び析出挙動の解析
ヴォダルツ ジギー間庭佑太萩原弘規大谷智博西家大貴早大)・Giovanni Zangariヴァージニア大)・本間敬之早大MR2013-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2013-20
抄録 (和) 電解析出法とリソグラフィによりhcp-Co80-Pt20及びL10-Fe-Ptの薄膜とナノドットアレイをhcp-Ru(002) / Si基板上に形成し,特性評価を行った.また,初期からの析出制御を目的に,印加電位及びドット径がCo-Ptの析出挙動に及ぼす影響を解析した.電子線描画法を用いたプロセスでは2Tb / in.2に相当する18 nm周期,10 nm径のナノドットパターンが均一に形成されていることを確認した.初期析出過程の解析の結果,比較的貴な印加電位(- 400 mV,- 500 mV vs Ag / AgCl)では核成長が優先的に生じるため,Co-Ptの粒径が増大する傾向が確認され,印加電位及びドット径によりCo-Ptの粒径制御が可能であることが示唆された.Fe-Pt合金の特性評価の結果,膜厚10 nmにおいて9.0 kOe,また膜厚25 nmにおいて9.8 kOeの保磁力が得られ,初期段階からの保磁力の向上が示された.さらに,650℃でのアニール処理により膜厚10 nmにおいてL10構造への相転移が確認された.UV-ナノインプリント法を用いたプロセスでは,35 nm径,100 nm周期のFe-Ptナノドットアレイが広範囲に形成されていることを確認した. 
(英) We fabricated hcp-Co80Pt20 and L10-FePt thin films and nanodot arrays onto hcp-Ru (002) / Si substrate by electrodeposition and lithography processes. The effect of applied potential and diameter of the nanodot on deposition behavior of Co-Pt was analyzed in order to control the deposition of Co-Pt. By using electron beam lithography, nanodot patterns with 10 nm diameter and 18 nm pitch were uniformly fabricated. It was suggested that the particle size of Co-Pt could be controlled by the applied potential, and in the case of relatively positive applied potential of - 400 mV and – 500 mV vs Ag / AgCl, progressive nucleation preferentially occurred to increase the size of each Co-Pt particle. The phase transformation from fcc-Fe-Pt to L10 Fe-Pt was observed by annealing at 650 oC, and Fe-Pt films with perpendicular coercivity of 9.0 kOe and 9.8 kOe with a thickness of 10 nm and 25 nm were obtained. In addition, Fe-Pt nanodot arrays having a pitch and a diameter of 100 nm and 35 nm were successfully fabricated by UV-nanoimprint lithography.
キーワード (和) BPM / 電解析出法 / Co-Pt / Fe-Pt / 電子線描画法 / UV-ナノインプリント法 / /  
(英) BPM / Electrodeposition / Co-Pt / Fe-Pt / Electron Beam Lithography / UV-Nanoimprint Lithography / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, 2013年11月.
資料番号  
発行日 2013-11-08 (MR) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MR2013-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2013-20

研究会情報
研究会 MRIS ITE-MMS  
開催期間 2013-11-15 - 2013-11-15 
開催地(和) 早稲田大学 
開催地(英) Waseda Univ. 
テーマ(和) ハードディスクドライブ, 一般 
テーマ(英) Hard disk drive technology, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MRIS 
会議コード 2013-11-MR-MMS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 電気化学的手法による超高記録密度強磁性ナノドットアレイの形成及び析出挙動の解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Characterization and analysis of deposition behavior of ultra-high density ferromagnetic nanodot arrays fabricated by electrochemical processes 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) BPM / BPM  
キーワード(2)(和/英) 電解析出法 / Electrodeposition  
キーワード(3)(和/英) Co-Pt / Co-Pt  
キーワード(4)(和/英) Fe-Pt / Fe-Pt  
キーワード(5)(和/英) 電子線描画法 / Electron Beam Lithography  
キーワード(6)(和/英) UV-ナノインプリント法 / UV-Nanoimprint Lithography  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) ヴォダルツ ジギー / Siggi Wodarz / ヴォダルツ ジギー
第1著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 間庭 佑太 / Yuta Maniwa / マニワ ユウタ
第2著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 萩原 弘規 / Hiroki Hagiwara / ハギワラ ヒロキ
第3著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 大谷 智博 / Tomohiro Otani / オオタニ トモヒロ
第4著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 西家 大貴 / Daiki Nishiie / ニシイエ ダイキ
第5著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) Giovanni Zangari / Giovanni Zangari / Giovanni Zangari
第6著者 所属(和/英) ヴァージニア大学 (略称: ヴァージニア大)
University of Virginia (略称: UVA)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 本間 敬之 / Takayuki Homma / ホンマ タカユキ
第7著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-11-15 13:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MRIS 
資料番号 MR2013-20 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.297 
ページ範囲 pp.7-10 
ページ数
発行日 2013-11-08 (MR) 


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