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講演抄録/キーワード
講演名 2013-12-13 16:00
遷移金属酸化物抵抗変化メモリのデータリテンション特性
吉原幹貴緒方涼介村山直寛鳥取大)・岸田 悟木下健太郎鳥取大/TEDREC)   エレソ技報アーカイブはこちら
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文献情報 信学技報
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2013-12-13 - 2013-12-13 
開催地(和) 奈良先端科学技術大学院大学 
開催地(英) NAIST 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価 
テーマ(英) Fabrication and Characterization of Si related materials 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-12-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 遷移金属酸化物抵抗変化メモリのデータリテンション特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Data Retention Characteristics of Resistive Random Access Memory Consisting of Transition Metal Oxide 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉原 幹貴 / Masataka Yosihara / ヨシハラ マサタカ
第1著者 所属(和/英) 鳥取大学 (略称: 鳥取大)
Tottori University (略称: Tottori Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 緒方 涼介 / Ryosuke Ogata / オガタ リョウスケ
第2著者 所属(和/英) 鳥取大学 (略称: 鳥取大)
Tottori University (略称: Tottori Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 村山 直寛 / Naohiro Murayama / ムラヤマ ナオヒロ
第3著者 所属(和/英) 鳥取大学 (略称: 鳥取大)
Tottori University (略称: Tottori Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 岸田 悟 / Satoru Kishida / キシダ サトル
第4著者 所属(和/英) 鳥取大学/鳥取大学工学部附属電子ディスプレイ研究センター (略称: 鳥取大/TEDREC)
Tottori University/Tottori University Electronic Display Research Center (略称: Tottori Univ./TEDREC)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 木下 健太郎 / Kentaro Kinoshita / キノシタ ケンタロウ
第5著者 所属(和/英) 鳥取大学/鳥取大学工学部附属電子ディスプレイ研究センター (略称: 鳥取大/TEDREC)
Tottori University/Tottori University Electronic Display Research Center (略称: Tottori Univ./TEDREC)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-12-13 16:00:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 SDM 
資料番号  
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.351 
ページ範囲  
ページ数  
発行日  


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