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講演抄録/キーワード
講演名 2014-03-05 13:00
SOTBでのDVSに向けた温度モニタ回路の検討
和田達矢宇佐美公良芝浦工大VLD2013-160
抄録 (和) 薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin Buried Oxide: SOTB) は、低電圧で高速動作が可能である。しかし、温度変化による遅延時間や消費電力のバラツキが大きくなるため、バラツキ補正が必要である。この問題を解決するために、本論文では2電源によるDVSを8ビット順次桁上げ加算器(RCA)に適用した。その結果、一定の遅延時間制約を満たしつつ、ダイナミック電力を最大で70%、非動作時の消費電力を最大で53%低減できることが分かった。また、2電源DVSに向けた温度モニタ回路に、リークモニタ回路を使用することで、従来研究より最大11%低い消費電力で動作する温度モニタを提案する。 
(英) SOTB (Silicon on Thin Buried Oxide) transistors can operate at high speed in the ultra-low voltage. However, variation in circuit delay and power by change of temperature becomes large. In this paper, we apply DVS with two supply voltages to 8-bit RCA using SOTB to solve this problem. We demonstrate that dynamic power consumption of RCA can be reduced by up to 70% and static power consumption can be reduced up to 53%. Moreover, the thermal monitor using a leakage monitor circuit consumes up to 11% less power than the conventional counterpart.
キーワード (和) 低消費電力 / SOTB / DVS / リークモニタ / 温度モニタ / / /  
(英) Low Power / SOTB / DVS / Leakage Monitor / Thermal Monitor / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 454, VLD2013-160, pp. 141-146, 2014年3月.
資料番号 VLD2013-160 
発行日 2014-02-24 (VLD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード VLD2013-160

研究会情報
研究会 VLD  
開催期間 2014-03-03 - 2014-03-05 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawa Seinen Kaikan 
テーマ(和) システムオンシリコンを支える設計技術 
テーマ(英) Design Technology for System-on-Silicon 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2014-03-VLD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SOTBでのDVSに向けた温度モニタ回路の検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Investigation of thermal monitor for applying to Dynamic Voltage Scaling in SOTB 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 低消費電力 / Low Power  
キーワード(2)(和/英) SOTB / SOTB  
キーワード(3)(和/英) DVS / DVS  
キーワード(4)(和/英) リークモニタ / Leakage Monitor  
キーワード(5)(和/英) 温度モニタ / Thermal Monitor  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 和田 達矢 / Tatsuya Wada / ワダ タツヤ
第1著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: Shibaura Inst. of Tech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 宇佐美 公良 / Kimiyoshi Usami / ウサミ キミヨシ
第2著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: Shibaura Inst. of Tech)
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講演者 第1著者 
発表日時 2014-03-05 13:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 VLD 
資料番号 VLD2013-160 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.454 
ページ範囲 pp.141-146 
ページ数
発行日 2014-02-24 (VLD) 


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