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| 講演名 | 2014-06-19 09:50 Al2O3/GeOx/GeゲートスタックにおけるAl-PMA効果の調査 ○永冨雄太・長岡裕一・山本圭介・王 冬・中島 寛（九大）  SDM2014-44 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2014-44 |
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| 抄録 | （和） | Al2O3/GeOX/GeゲートスタックにおけるAl-PMA効果について調査を行った．Al-PMAは，SiO2/GeO2/Geスタックと同様に，Al2O3/GeOX/Geスタックに於いても有効である．400℃でのAl-PMAにより，バンドギャップ下半分の界面準位密度およびスロートラップ密度が低減することが分かった．しかし，メタル・ソース/ドレイン（S/D）型MOSFETの側壁部では，Al/Al2O3が直接接触するため，Al-PMAによって側壁Al2O3の絶縁性が失われることが判明した．この問題の解決策として，S/D側壁へのSiO2絶縁膜堆積手法を確立した. |
| （英） | We investigated the Al-PMA effect on Al2O3/GeOX/Ge gate stacks. The Al-PMA is effective for Al2O3/GeOX/Ge gate stacks, similar to the case of SiO2/GeO2 gate stack. It was found that interface states density in the lower half of the band gap and slow trap density can be reduced by Al-PMA at 400°C. However, a serious problem occurred in the metal source/drain (S/D) MOSFET fabricated using the gate stack with Al-PMA, which was poor electrical isolation between gate and S/D. It was found that Al-PMA at 400°C caused the reaction of Al with Al2O3 film on the S/D side wall, resulting in a decrease in insulating quality of Al2O3 film. To solve this problem, we demonstrated a method for depositing a thin SiO2 film on the S/D side wall. | |
| キーワード | （和） | Ge / MOSFET / ALD / プラズマ酸化 / Al-PMA / Dit / / |
| （英） | Ge / MOSFET / ALD / plasma oxidation / Al-PMA / Dit / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 88, SDM2014-44, pp. 7-10, 2014年6月. | |
| 資料番号 | SDM2014-44 | |
| 発行日 | 2014-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-44 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2014-44 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2014-06-19 - 2014-06-19 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Al2O3/GeOx/GeゲートスタックにおけるAl-PMA効果の調査 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of Al-PMA Effect on Al2O3/GeOx/Ge Gate Stack |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | ALD / ALD |
| キーワード(4)（和/英） | プラズマ酸化 / plasma oxidation |
| キーワード(5)（和/英） | Al-PMA / Al-PMA |
| キーワード(6)（和/英） | Dit / Dit |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永冨 雄太 / Yuta Nagatomi / ナガトミ ユウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長岡 裕一 / Yuichi Nagaoka / ナガオカ ユウイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 圭介 / Keisuke Yamamoto / ヤマモト ケイスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 王 冬 / Dong Wang / ワン ドン |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 寛 / Hiroshi Nakashima / ナカシマ ヒロシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-06-19 09:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2014-44 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.88 |
| ページ範囲 | pp.7-10 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-06-12 (SDM) |
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