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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-10-30 17:45 SiO2/Si基板上InP系活性層薄膜への埋込み成長によるレーザ作製 ○藤井拓郎・佐藤具就・武田浩司・長谷部浩一・硴塚孝明・松尾慎治（NTT）  OCS2014-68 OPE2014-112 LQE2014-86 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2014-112 LQE2014-86 |
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| 抄録 | （和） | 大規模光集積デバイスの実現に向けて、Si基板上の任意の箇所に小型・高効率なIII-V族半導体レーザーを作製する技術が求められている。本稿では、SiO2/Si基板上にInP系多重量子井戸(multiple quantum well; MQW)薄膜を直接接合し、その後MOVPE結晶成長を行うことで、Si基板上にDFBレーザを作製した結果について述べる。Si基板に接合したInP系MQW薄膜の結晶品質は、結晶成長の高温環境に曝された後においても良好であった。作製したDFBレーザの共振器長は120 $mu$mと小型であり、しきい値電流1.8 mAでの室温連続発振、40 Gbit/sでの直接変調動作を確認した。 |
| （英） | Integration of III-V lasers on a Si substrate is the key to realizing large-scale photonic integrated circuits (PICs) using silicon (Si) device fabrication technologies. We have therefore developed membrane buried heterostructure lasers on SiO2/Si by epitaxial growth on an InP-based membrane including multiple quantum well, which is directly bonded to a SiO2/Si substrate. There was no degradation of the crystal quality even after the high-temperature annealing. We have successfully fabricated the compact DFB laser with a 120-$mu$m-long cavity on SiO2, and also experimentally confirmed that the room temperature continuous wave emission at a threshold current of 1.8 mA and the direct modulation of 40-Gbit/s NRZ were achieved. | |
| キーワード | （和） | 結晶成長 / DFBレーザ / ウェハ直接接合 / シリコンフォトニクス / / / / |
| （英） | Epitaxial growth / DFB laser / Direct bonding / Si photonics / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 283, LQE2014-86, pp. 135-140, 2014年10月. | |
| 資料番号 | LQE2014-86 | |
| 発行日 | 2014-10-23 (OCS, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OCS2014-68 OPE2014-112 LQE2014-86 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2014-112 LQE2014-86 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OCS OPE LQE |
| 開催期間 | 2014-10-30 - 2014-10-31 |
| 開催地（和） | 長崎歴史文化博物館 |
| 開催地（英） | Nagasaki Museum of History and Culture |
| テーマ（和） | 超高速伝送，変復調，分散補償技術，超高速光信号処理技術，広帯域光増幅，WDM技術，受光デバイス，高光出力伝送技術，及び一般 (ECOC報告) |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2014-10-OCS-OPE-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiO2/Si基板上InP系活性層薄膜への埋込み成長によるレーザ作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of membrane lasers by epitaxial growth of InP using InP-based active layer film on SiO2/Si substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 結晶成長 / Epitaxial growth |
| キーワード(2)（和/英） | DFBレーザ / DFB laser |
| キーワード(3)（和/英） | ウェハ直接接合 / Direct bonding |
| キーワード(4)（和/英） | シリコンフォトニクス / Si photonics |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤井 拓郎 / Takuro Fujii / フジイ タクロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 具就 / Tomonari Sato / サトウ トモナリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武田 浩司 / Koji Takeda / タケダ コウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長谷部 浩一 / Koichi Hasebe / ハセベ コウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 硴塚 孝明 / Takaaki Kakitsuka / カキツカ タカアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松尾 慎治 / Shinji Matsuo / マツオ シンジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-10-30 17:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | OCS2014-68, OPE2014-112, LQE2014-86 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.281(OCS), no.282(OPE), no.283(LQE) |
| ページ範囲 | pp.135-140 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-10-23 (OCS, OPE, LQE) |
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