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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-10-30 13:15 超高速全光論理ゲート素子に向けたInP(311)B基板に成長させた1550nm帯QD-SOAの利得特性とピエゾ効果の検討 ○松本 敦（NICT）・武井勇樹（早大）・赤羽浩一（NICT）・石川 浩・松島裕一・宇高勝之（早大）  OCS2014-58 OPE2014-102 LQE2014-76 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2014-102 LQE2014-76 |
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| 抄録 | （和） | 光論理ゲート素子の実現に向け、歪補償技術を用いて量子ドット（QD）を20層積層した量子ドット半導体光増幅器（QD-SOA）を作製し、その基本的な特性を評価した。実験結果と解析結果の違いからピエゾ効果を仮定したところ、ピエゾ電界が生じていることを示唆する実験結果が得られたが、ピエゾ電界強度は予想よりも小さく25 kV/cm程度であり、歪補償技術により抑制されていることがわかった。 |
| （英） | In this paper, we fabricated the QD-SOA consisting of the 20-layer-stacked QDs structure with the strain-compensation technique for the purpose of all optical logic gate device, and measured the fundamental characteristics of the QD-SOA. Investigating the difference between experimental and the simulation results, we obtained another experimental results indicating the piezoelectric effect. And we found that the amplitude of piezoelectric field was restricted by the strain-compensation technique, and it was about 25 kV/cm. | |
| キーワード | （和） | 光論理ゲー / 量子ドッ / 半導体光増幅器 / ピエゾ効果 / / / / |
| （英） | Optical Logic Gate / Quantum Dot / Semiconductor Optical Amplifier / Piezoelectric effect / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 281, OCS2014-58, pp. 87-91, 2014年10月. | |
| 資料番号 | OCS2014-58 | |
| 発行日 | 2014-10-23 (OCS, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OCS2014-58 OPE2014-102 LQE2014-76 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2014-102 LQE2014-76 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OCS OPE LQE |
| 開催期間 | 2014-10-30 - 2014-10-31 |
| 開催地（和） | 長崎歴史文化博物館 |
| 開催地（英） | Nagasaki Museum of History and Culture |
| テーマ（和） | 超高速伝送，変復調，分散補償技術，超高速光信号処理技術，広帯域光増幅，WDM技術，受光デバイス，高光出力伝送技術，及び一般 (ECOC報告) |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OCS |
| 会議コード | 2014-10-OCS-OPE-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 超高速全光論理ゲート素子に向けたInP(311)B基板に成長させた1550nm帯QD-SOAの利得特性とピエゾ効果の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Gain Characteristics and Piezoelectric effect of 1550nm-Band QD-SOA Grown on InP(311)B Substrate for Ultra-Fast All-Optical Logic Gate Devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光論理ゲー / Optical Logic Gate |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドッ / Quantum Dot |
| キーワード(3)（和/英） | 半導体光増幅器 / Semiconductor Optical Amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | ピエゾ効果 / Piezoelectric effect |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 敦 / Atsushi Matsumoto / マツモト アツシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武井 勇樹 / Yuki Takei / タケイ ユウキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤羽 浩一 / Kouichi Akahane / アカハネ コウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 浩 / Hiroshi Ishikawa / イシカワ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松島 裕一 / Yuichi Matsushima / マツシマ ユウイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宇高 勝之 / Katsuyuki Utaka / ウタカ カツユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-10-30 13:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OCS |
| 資料番号 | OCS2014-58, OPE2014-102, LQE2014-76 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.281(OCS), no.282(OPE), no.283(LQE) |
| ページ範囲 | pp.87-91 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2014-10-23 (OCS, OPE, LQE) |
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