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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-11-27 10:35 昇華法によるAlN単結晶の育成 ○岩崎洋介・永田俊郎・秋山秀敏・中村啓一郎（JFEミネラル）  ED2014-73 CPM2014-130 LQE2014-101 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-73 CPM2014-130 LQE2014-101 |
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| 抄録 | （和） | 窒化アルミニウム（AlN）は、高い熱伝導率と深紫外領域で優れた透明性を有し、発光層とのマッチングの良さから、深紫外発光ダイオード（DUV-LED）用基板としての優位性が約束されている材料である。本研究では、昇華法により育成したAlN単結晶の深紫外領域における高い透明性を示すと共に、結晶品質へ及ぼすr面とc面という育成方位の違いの影響と合わせて報告する。 |
| （英） | Aluminum Nitride (AlN) is a promising substrate material for Al-rich III-Nitride devices for use as deep ultraviolet light emitting diodes (DUV-LED) due to its superior transparency performance in the Deep UV region, high thermal conductivity and small mismatch with Al-rich III-nitride. In this study, we have investigated the growth of AlN single crystal by the sublimation-recondensation growth method and high transparency crystals from the visible to deep UV region have recently been produced. Our results with a comparison of the growth between the r-plane seed and c-plane seed will be reported in this paper. | |
| キーワード | （和） | AlN / 単結晶 / 昇華法 / 深紫外 / / / / |
| （英） | AlN / Single crystal / Sublimation method / Deep UV / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 338, LQE2014-101, pp. 1-4, 2014年11月. | |
| 資料番号 | LQE2014-101 | |
| 発行日 | 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-73 CPM2014-130 LQE2014-101 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2014-73 CPM2014-130 LQE2014-101 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2014-11-27 - 2014-11-28 |
| 開催地（和） | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2014-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 昇華法によるAlN単結晶の育成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlN Single Crystal Growth by means of Sublimation method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(2)（和/英） | 単結晶 / Single crystal |
| キーワード(3)（和/英） | 昇華法 / Sublimation method |
| キーワード(4)（和/英） | 深紫外 / Deep UV |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩崎 洋介 / Yosuke Iwasaki / イワサキ ヨウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | JFEミネラル株式会社 (略称： JFEミネラル) JFE MINERAL COMPANY,LTD. (略称： JFE MINERAL) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永田 俊郎 / Shunro Nagata / ナガタ シュンロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | JFEミネラル株式会社 (略称： JFEミネラル) JFE MINERAL COMPANY,LTD. (略称： JFE MINERAL) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 秋山 秀敏 / Hidetoshi Akiyama / アキヤマ ヒデトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | JFEミネラル株式会社 (略称： JFEミネラル) JFE MINERAL COMPANY,LTD. (略称： JFE MINERAL) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 啓一郎 / Keiichiro Nakamura / ナカムラ ケイイチロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | JFEミネラル株式会社 (略称： JFEミネラル) JFE MINERAL COMPANY,LTD. (略称： JFE MINERAL) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-11-27 10:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2014-73, CPM2014-130, LQE2014-101 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.336(ED), no.337(CPM), no.338(LQE) |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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