講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-04-16 15:25
InGaAs HEMTを用いた60GHz帯リアクティブ負帰還F級電力増幅器の設計 ○渡邊邦彦・楳田洋太郎(東京理科大)・吉田智洋・末光哲也(東北大) WPT2015-4 MW2015-4 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2015-4 |
抄録 |
(和) |
本報告では,InGaAs HEMTを用いて入出力整合回路を備えた60GHz帯モノリシックF級電力増幅器の設計について述べる.InGaAs HEMTは高速動作が可能であるが不安定性が強いため,リアクタンスを用いた無損失な負帰還により増幅器の安定化を図る.また,特性改善の指針を探るため,回路を信号方向に分割し,各部の電力利得を調べることにより,電力増幅器のどの部分が電力効率の低下に寄与しているのかを調査する.このF級電力増幅器を設計し,回路シミュレーションを行い,入出力整合回路の損失を含めて電力付加効率(PAE) 32.6%を得たことを報告する. |
(英) |
In this paper, InGaAs HEMT 60GHz Class-F power amplifier (PA) with reactive negative feedback is designed and simulated. The PA also has matching circuits. Although InGaAs HEMTs operate in high speed, stability is worse than other transistors. So we add this PA lossless negative feedback to make this PA stable. For improving the PA’s property, we analyze which part of this PA contributes to a drop of power-added-efficiency (PAE) by dividing PA and simulating the gains of each parts. The designed PA shows PAE of 32.6% including loss of matching circuits at 60GHz. |
キーワード |
(和) |
InGaAs HEMT / F級電力増幅器 / ミリ波 / 電力付加効率(PAE) / 負帰還 / 安定化 / / |
(英) |
InGaAs HEMT / Class-F power amplifier / Millimeter wave / PAE / Negative feedback / Stabilization / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 4, MW2015-4, pp. 15-19, 2015年4月. |
資料番号 |
MW2015-4 |
発行日 |
2015-04-09 (WPT, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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WPT2015-4 MW2015-4 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2015-4 |