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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-05-20 09:30 EDTAを錯化剤に用いた溶液成長法によるSnS薄膜堆積 ○神田祐作・高野 泰・石田明広（静岡大）  ED2016-21 CPM2016-9 SDM2016-26 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2016-21 CPM2016-9 SDM2016-26 |
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| 抄録 | （和） | 溶液成長法によりスライドガラス上にSnS薄膜を堆積させた。溶液は、塩化スズ、アセトン、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、チオアセトアミド、アンモニア水を用いて作製した。薄膜の堆積のために錯化剤としてEDTAを用いた。EDTAの分量を変化させて実験を行った。よく使用される錯化剤であるトリエタノールアミンを用いたSnS薄膜との比較も行った。走査電子顕微鏡とXRD測定により薄膜の評価を行なった。また、光応答の確認も行った。 |
| （英） | Tin sulfide, SnS has been deposited on glass using chemical bath deposition (CBD). SnS glows on glasses in a solution with SnCl22H2O, acetone, ethylene diamine tetra-acetic acid (EDTA), thioacetamide, and ammonia. We used EDTA as complexing agent for thin film deposition. We prepared SnS films using various amounts of EDTA. These films were compared with SnS thin films prepared using TEA. The SnS films were evaluated using scanning electron microscopy and X-ray diffraction measurement. Photocurrent measurement confirmed that photocurrent was observed for a film prepared with EDTA on a glass, the surface of which was tilted 60°from the surface of a solution. | |
| キーワード | （和） | SnS / 溶液成長法(CBD法) / ?-?族化合物 / / / / / |
| （英） | tinsulfide / chemical bath deposition / ?-? compound semiconductor / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 49, CPM2016-9, pp. 39-42, 2016年5月. | |
| 資料番号 | CPM2016-9 | |
| 発行日 | 2016-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-21 CPM2016-9 SDM2016-26 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2016-21 CPM2016-9 SDM2016-26 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2016-05-19 - 2016-05-20 |
| 開催地（和） | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) |
| 開催地（英） | Shizuoka University, Hamamatsu campus (Joint Research Lab.) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
| テーマ（英） | crystal growth、devices characterization , etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2016-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | EDTAを錯化剤に用いた溶液成長法によるSnS薄膜堆積 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Chemical solution deposition of SnS thin films using EDTA as complexing agent |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SnS / tinsulfide |
| キーワード(2)（和/英） | 溶液成長法(CBD法) / chemical bath deposition |
| キーワード(3)（和/英） | ?-?族化合物 / ?-? compound semiconductor |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神田 祐作 / Yusaku Kanda / カンダ ユウサク |
| 第1著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高野 泰 / Yasushi Takano / タカノ ヤスシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 明広 / Akihiro Ishida / イシダ アキヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-05-20 09:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2016-21, CPM2016-9, SDM2016-26 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.48(ED), no.49(CPM), no.50(SDM) |
| ページ範囲 | pp.39-42 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-05-12 (ED, CPM, SDM) |
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