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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-11-11 15:40 ダブルゲート構造における自己無撞着モンテカルロシミュレーション ○坂本 萌・六郷泰昭・佐野伸行（筑波大）  SDM2016-88 |
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| 抄録 | （和） | クーロン相互作用を高精度に導入した３次元自己無撞着モンテカルロシミュレーションを用いて、ダブルゲート構造MOSFETでの長距離クーロン相互作用のデバイス特性への影響を検討した. 長距離クーロン相互作用に伴い、電流ノイズ特性やチャネル領域に存在する電子数ばらつきが、長距離相互作用を無視した場合に比べて大幅に抑制されることを見出した. 動的なノイズ解析では長距離クーロン相互作用が本質的に重要になることを示唆している. また、自己鏡像ポテンシャルがデバイス特性に与える影響を考察するため、誘電率の異なる酸化絶縁膜を用いて、ゲート界面における散乱特性を検討した. 誘電率の大きさによってゲート界面方向に働く自己鏡像力が変化することを検証した.自己無撞着にクーロン相互作用を導入することでモンテカルロシミュレーションでは自己鏡像ポテンシャルが考慮される. |
| （英） | We examine the effect of long-range Coulomb interaction on the double-gate MOSFET by using the self-consistent 3D Monte Carlo device simulator including the full Coulomb interaction correctly. With the long-range Coulomb interaction, we find that the current noise performance and the number of electrons dispersion in channel region are greatly suppressed compared with ignore the long-range interaction. The results suggest long-range Coulomb interaction is essential importance in the dynamic noise characteristics. In addition, we investigate the scattering properties at the gate interface in cases the dielectric constant of oxide gate insulators is different to consider the influence of the Self-Image Potential. Our results suggest the Self-Image Potential affect the Self-Image Force. The Self-Image Potential is considered on Monte Carlo simulations by introduced the Coulomb interaction in self-consistent. | |
| キーワード | （和） | 自己無撞着モンテカルロシミュレーション / 長距離クーロン相互作用 / 自己鏡像ポテンシャル / / / / / |
| （英） | Self-Consistent Monte Carlo Device Simulations / Long-range Coulomb Interaction / Self-Image Potential / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 296, SDM2016-88, pp. 55-58, 2016年11月. | |
| 資料番号 | SDM2016-88 | |
| 発行日 | 2016-11-03 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-88 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-11-10 - 2016-11-11 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ダブルゲート構造における自己無撞着モンテカルロシミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Self-Consistent Monte Carlo Device Simulations Under Double-Gate Device Structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 自己無撞着モンテカルロシミュレーション / Self-Consistent Monte Carlo Device Simulations |
| キーワード(2)（和/英） | 長距離クーロン相互作用 / Long-range Coulomb Interaction |
| キーワード(3)（和/英） | 自己鏡像ポテンシャル / Self-Image Potential |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂本 萌 / Hajime Sakamoto / サカモト ハジメ |
| 第1著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) Tsukuba University (略称： Tsukuba univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 六郷 泰昭 / Yasuaki Rokugo / ロクゴウ ヤスアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) Tsukuba University (略称： Tsukuba univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐野 伸行 / Nobuyuki Sano / サノ ノブユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) Tsukuba University (略称： Tsukuba univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-11-11 15:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-88 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.296 |
| ページ範囲 | pp.55-58 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-11-03 (SDM) |
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