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講演抄録/キーワード
講演名
2016-12-12 10:00
SrTa2O6によるIGZO薄膜トランジスタの高性能化要因解析
○
及川賢人
・
藤井茉美
・
Bermundo Juan Paolo
(
奈良先端大
)・
内山 潔
(
鶴岡高専
)・
石河泰明
・
浦岡行治
(
奈良先端大
)
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抄録
(和)
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文献情報
信学技報
資料番号
発行日
ISSN
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研究会情報
研究会
SDM EID
開催期間
2016-12-12 - 2016-12-12
開催地(和)
奈良先端科学技術大学院大学
開催地(英)
NAIST
テーマ(和)
シリコン関連材料の作製と評価
テーマ(英)
Fabrication and Evaluation of Silicon Related Materials
講演論文情報の詳細
申込み研究会
SDM
会議コード
2016-12-SDM-EID
本文の言語
日本語
タイトル(和)
SrTa2O6によるIGZO薄膜トランジスタの高性能化要因解析
サブタイトル(和)
タイトル(英)
Analysis of the cause of high performance IGZO thin film transistor using SrTa2O6 as gate insulator
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
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キーワード(2)(和/英)
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キーワード(3)(和/英)
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キーワード(4)(和/英)
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キーワード(5)(和/英)
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キーワード(6)(和/英)
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キーワード(7)(和/英)
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キーワード(8)(和/英)
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
及川 賢人
/
Kento Oikawa
/
オイカワ ケント
第1著者 所属(和/英)
奈良先端科学技術大学院大学
(略称:
奈良先端大
)
Nara Institute of Science and Technology
(略称:
NAIST
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
藤井 茉美
/
Mami N. Fujii
/
フジイ マミ
第2著者 所属(和/英)
奈良先端科学技術大学院大学
(略称:
奈良先端大
)
Nara Institute of Science and Technology
(略称:
NAIST
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
Bermundo Juan Paolo
/
Juan Paolo Bermundo
/
ベルムンド フアン パオロ
第3著者 所属(和/英)
奈良先端科学技術大学院大学
(略称:
奈良先端大
)
Nara Institute of Science and Technology
(略称:
NAIST
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
内山 潔
/
Kiyoshi Uchiyama
/
ウチヤマ キヨシ
第4著者 所属(和/英)
鶴岡工業高等専門学校
(略称:
鶴岡高専
)
National Institute of Technology, Tsuruoka College
(略称:
Tsuruoka College
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
石河 泰明
/
Yasuaki Ishikawa
/
イシカワ ヤスアキ
第5著者 所属(和/英)
奈良先端科学技術大学院大学
(略称:
奈良先端大
)
Nara Institute of Science and Technology
(略称:
NAIST
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
浦岡 行治
/
Yukiharu Uraoka
/
ウラオカ ユキハル
第6著者 所属(和/英)
奈良先端科学技術大学院大学
(略称:
奈良先端大
)
Nara Institute of Science and Technology
(略称:
NAIST
)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第7著者 所属(和/英)
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第8著者 所属(和/英)
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第9著者 所属(和/英)
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第10著者 所属(和/英)
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第11著者 所属(和/英)
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第12著者 所属(和/英)
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第13著者 所属(和/英)
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第14著者 所属(和/英)
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第15著者 所属(和/英)
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第16著者 所属(和/英)
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第18著者 所属(和/英)
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第19著者 所属(和/英)
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第20著者 所属(和/英)
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講演者
第1著者
発表日時
2016-12-12 10:00:00
発表時間
15分
申込先研究会
SDM
資料番号
巻番号(vol)
vol.116
号番号(no)
no.354(EID), no.355(SDM)
ページ範囲
ページ数
発行日
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