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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-02-24 10:00 コンパクトなシリコン三重量子ドットの作製と評価 ○内田貴史・福地 厚・有田正志（北大）・藤原 聡（NTT）・高橋庸夫（北大）  ED2016-130 SDM2016-147 |
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| 抄録 | （和） | 高集積シリコンマルチ量子ドットは量子ビットへの応用が期待されている. 我々は, シリコン細線をパターン依存酸化することで単一量子ドットを形成し, 3本の微細ゲート電極を細線上に取付け, 再度酸化することで三重量子ドットを作製できることを明らかにした. この作製法は, 微細ゲートの直下に量子ドットが形成するので, 量子ドットの集積化に適している. また, ゲートピッチを狭めた場合の高集積三重量子ドットの評価法として, 同時スイープ法を提案し, シミュレーションを用いてその有用性を示した. |
| （英） | Silicon-based multiple quantum-dot with a scalable gate architecture is a promising candidate for quantum information processing. Here, we demonstrate a triple-quantum-dot (TQD) device fabricated by the pattern-dependent oxidation of a silicon nanowire and an additional oxidation of the nanowire through the gaps between three fine gate electrodes attached on the nanowire. This fabrication method is suitable for the integrated multiple quantum dot device because each quantum dot forms just under each fine gate. In addition, we propose and demonstrate a simultaneous gate-voltage sweeping method for a gate-capacitance evaluation of compact TQD devices with reduced gate distances. | |
| キーワード | （和） | シリコン単電子デバイス / 三重量子ドット / / / / / / |
| （英） | silicon single-electron device / triple quantum dot / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 471, ED2016-130, pp. 1-6, 2017年2月. | |
| 資料番号 | ED2016-130 | |
| 発行日 | 2017-02-17 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-130 SDM2016-147 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2017-02-24 - 2017-02-24 |
| 開催地（和） | 北海道大学百年記念会館 |
| 開催地（英） | Centennial Hall, Hokkaido Univ. |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional nanodevices and related technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2017-02-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | コンパクトなシリコン三重量子ドットの作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and evaluation of silicon triple quantum dots with a compact device structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン単電子デバイス / silicon single-electron device |
| キーワード(2)（和/英） | 三重量子ドット / triple quantum dot |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内田 貴史 / Takafumi Uchida / ウチダ タカフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University (略称： IST. Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福地 厚 / Atsushi Tsurumaki-Fukuchi / フクチ アツシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University (略称： IST. Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有田 正志 / Masashi Arita / アリタ マサシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University (略称： IST. Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤原 聡 / Akira Fujiwara / フジワラ アキラ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社日本電信電話 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation (略称： NTT BRL) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 庸夫 / Yasuo Takahashi / |
| 第5著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University (略称： IST. Hokkaido Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-02-24 10:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2016-130, SDM2016-147 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.471(ED), no.472(SDM) |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-02-17 (ED, SDM) |
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