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講演抄録/キーワード
講演名
2017-06-20 16:10
硫黄雰囲気硫化プロセスによるスパッタMoS2薄膜の低キャリア密度化
○
松浦賢太朗
・
大橋 匠
・
宗田伊理也
(
東工大
)・
石原聖也
(
明大
)・
角嶋邦之
・
筒井一生
(
東工大
)・
小椋厚志
(
明大
)・
若林 整
(
東工大
)
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抄録
(和)
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キーワード
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文献情報
信学技報
資料番号
発行日
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研究会情報
研究会
SDM
開催期間
2017-06-20 - 2017-06-20
開催地(和)
キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB)
開催地(英)
Campus Innovation Center Tokyo
テーマ(和)
MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催)
テーマ(英)
Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories
講演論文情報の詳細
申込み研究会
SDM
会議コード
2017-06-SDM
本文の言語
日本語
タイトル(和)
硫黄雰囲気硫化プロセスによるスパッタMoS2薄膜の低キャリア密度化
サブタイトル(和)
タイトル(英)
Low-Carrier-Density Sputtered-MoS2 Film by Vapor-Phase- Sulfurization
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
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キーワード(2)(和/英)
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キーワード(3)(和/英)
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キーワード(4)(和/英)
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キーワード(5)(和/英)
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キーワード(6)(和/英)
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キーワード(7)(和/英)
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キーワード(8)(和/英)
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
松浦 賢太朗
/
Kentaro Matsuura
/
マツウラ ケンタロウ
第1著者 所属(和/英)
東京工業大学
(略称:
東工大
)
Tokyo Institute of Technology
(略称:
Tokyo Tech
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
大橋 匠
/
Takumi Ohashi
/
オオハシ タクミ
第2著者 所属(和/英)
東京工業大学
(略称:
東工大
)
Tokyo Institute of Technology
(略称:
Tokyo Tech
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
宗田 伊理也
/
Iriya Muneta
/
ムネタ イリヤ
第3著者 所属(和/英)
東京工業大学
(略称:
東工大
)
Tokyo Institute of Technology
(略称:
Tokyo Tech
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
石原 聖也
/
Seiya Ishihara
/
イシハラ セイヤ
第4著者 所属(和/英)
明治大学
(略称:
明大
)
Meiji University
(略称:
Meiji Univ.
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
角嶋 邦之
/
Kuniyuki Kakushima
/
カクシマ クニユキ
第5著者 所属(和/英)
東京工業大学
(略称:
東工大
)
Tokyo Institute of Technology
(略称:
Tokyo Tech
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
筒井 一生
/
Kazuo Tsutsui
/
ツツイ カズオ
第6著者 所属(和/英)
東京工業大学
(略称:
東工大
)
Tokyo Institute of Technology
(略称:
Tokyo Tech
)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
小椋 厚志
/
Atsushi Ogura
/
オグラ アツシ
第7著者 所属(和/英)
明治大学
(略称:
明大
)
Meiji University
(略称:
Meiji Univ.
)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
若林 整
/
Hitoshi Wakabayashi
/
ワカバヤシ ヒトシ
第8著者 所属(和/英)
東京工業大学
(略称:
東工大
)
Tokyo Institute of Technology
(略称:
Tokyo Tech
)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第9著者 所属(和/英)
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第10著者 所属(和/英)
(略称: )
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第11著者 所属(和/英)
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(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第12著者 所属(和/英)
(略称: )
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第13著者 所属(和/英)
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第14著者 所属(和/英)
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第15著者 所属(和/英)
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第16著者 所属(和/英)
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第17著者 所属(和/英)
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第18著者 所属(和/英)
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第19著者 所属(和/英)
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第20著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
講演者
第1著者
発表日時
2017-06-20 16:10:00
発表時間
20分
申込先研究会
SDM
資料番号
巻番号(vol)
vol.117
号番号(no)
no.101
ページ範囲
ページ数
発行日
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