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講演抄録/キーワード
講演名 2017-06-20 16:10
硫黄雰囲気硫化プロセスによるスパッタMoS2薄膜の低キャリア密度化
松浦賢太朗大橋 匠宗田伊理也東工大)・石原聖也明大)・角嶋邦之筒井一生東工大)・小椋厚志明大)・若林 整東工大)   エレソ技報アーカイブはこちら
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文献情報 信学技報
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2017-06-20 - 2017-06-20 
開催地(和) キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB) 
開催地(英) Campus Innovation Center Tokyo 
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2017-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 硫黄雰囲気硫化プロセスによるスパッタMoS2薄膜の低キャリア密度化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low-Carrier-Density Sputtered-MoS2 Film by Vapor-Phase- Sulfurization 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 松浦 賢太朗 / Kentaro Matsuura / マツウラ ケンタロウ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大橋 匠 / Takumi Ohashi / オオハシ タクミ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 宗田 伊理也 / Iriya Muneta / ムネタ イリヤ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 石原 聖也 / Seiya Ishihara / イシハラ セイヤ
第4著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 角嶋 邦之 / Kuniyuki Kakushima / カクシマ クニユキ
第5著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 筒井 一生 / Kazuo Tsutsui / ツツイ カズオ
第6著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 小椋 厚志 / Atsushi Ogura / オグラ アツシ
第7著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 若林 整 / Hitoshi Wakabayashi / ワカバヤシ ヒトシ
第8著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
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講演者 第1著者 
発表日時 2017-06-20 16:10:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 SDM 
資料番号  
巻番号(vol) vol.117 
号番号(no) no.101 
ページ範囲  
ページ数  
発行日  


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