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講演抄録／キーワード
講演名 2018-06-25 14:30
［依頼講演］ダイヤモンドデバイス応用研究の現状と課題：バルク・表面の結晶品質
○加藤有香子（産総研）・滝沢耕平（東京都市大）・牧野俊晴・加藤宙光・小倉政彦・竹内大輔・山崎　聡（産総研）・野平博司（東京都市大）   エレソ技報アーカイブはこちら
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文献情報 信学技報
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2018-06-25 - 2018-06-25 
開催地（和） 名古屋大学 VBL３F 
開催地（英） Nagoya Univ. VBL3F 
テーマ（和） MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） 
テーマ（英） Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2018-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル（和） ダイヤモンドデバイス応用研究の現状と課題：バルク・表面の結晶品質 
サブタイトル（和）  
タイトル（英） Recent progress and problem of Diamond device: Crystal quality of bulk and surface 
サブタイトル（英）  
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第1著者 氏名（和/英/ヨミ） 加藤 有香子 / Yukako Kato / カトウ ユカコ
第1著者 所属（和/英） 産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advance industrial science and technology (略称： AIST)
第2著者 氏名（和/英/ヨミ） 滝沢 耕平 / Kouhei Takizawa /
第2著者 所属（和/英） 東京都市大学 (略称： 東京都市大)
Tokyo City University (略称： Tokyo City Univ.)
第3著者 氏名（和/英/ヨミ） 牧野 俊晴 / Toshiharu Makino /
第3著者 所属（和/英） 産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advance industrial science and technology (略称： AIST)
第4著者 氏名（和/英/ヨミ） 加藤 宙光 / Hiromitsu Kato /
第4著者 所属（和/英） 産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advance industrial science and technology (略称： AIST)
第5著者 氏名（和/英/ヨミ） 小倉 政彦 / Masahiko Ogura /
第5著者 所属（和/英） 産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advance industrial science and technology (略称： AIST)
第6著者 氏名（和/英/ヨミ） 竹内 大輔 / Daisuke Takeuchi /
第6著者 所属（和/英） 産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advance industrial science and technology (略称： AIST)
第7著者 氏名（和/英/ヨミ） 山崎 聡 / Satoshi Yamasaki /
第7著者 所属（和/英） 産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advance industrial science and technology (略称： AIST)
第8著者 氏名（和/英/ヨミ） 野平 博司 / Hiroshi Nohira /
第8著者 所属（和/英） 東京都市大学 (略称： 東京都市大)
Tokyo City University (略称： Tokyo City Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2018-06-25 14:30:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号  
巻番号（vol） vol.118 
号番号（no） no.110 
ページ範囲  
ページ数  
発行日  

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