お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2018-10-19 11:35
60GHz帯シリコンCMOSオンチップダイポールアンテナのシリコン貫通ビアによる損失低減の一検討
平野拓一東京都市大EMCJ2018-51 MW2018-87 EST2018-73 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2018-87 EST2018-73
抄録 (和) ミリ波帯においては、アンテナが小型になるため、近年開発が進んでいるCMOSチップに一体化して作成するオンチップアンテナが有望である。オンチップアンテナを用いることの長所として、外部パッケージや基板との接続に苦労する必要がない。短所としてはシリコン基板による損失が非常に大きいので、放射効率が非常に低いという問題がある。シリコン基板による損失はHeイオンやプロトンの照射により、低減可能であることが確認されている。しかし、イオン照射できないFETを含む回路が周囲にあるため、一部のみイオン照射が行われる。そのような場合に、シリコンチップの限られた領域のみ損失を低減できるので、損失の大きなエリアに電磁界が侵入するのを阻止する必要がある。本稿では、さらに放射効率を改善するために、シリコン貫通ビア(TSV)を用いて電磁界のシリコン基板への侵入を防ぐ検討を行った。 
(英) 60 GHz CMOS on-chip antenna is low radiation efficiency due to large loss of silicon (Si) substrate. It is reported that loss due to lossy silicon substrate can be reduced by helium-3 ion irradiation. There are active devices and well (P-well or N-well) on the surface of the silicon substrate. To reduce loss due to well, we have introduced through-silicon via (TSV) and characteristics are analyze.
キーワード (和) ミリ波 / オンチップアンテナ / ダイポールアンテナ / CMOS / シリコン貫通電極 / イオン照射 / 放射効率 / ウェル  
(英) Millimeter-wave / On-chip antenna / Dipole antenna / CMOS / TSV / Ion irradiation / Radiation efficiency / Well  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 248, MW2018-87, pp. 105-109, 2018年10月.
資料番号 MW2018-87 
発行日 2018-10-11 (EMCJ, MW, EST) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EMCJ2018-51 MW2018-87 EST2018-73 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2018-87 EST2018-73

研究会情報
研究会 EST MW EMCJ IEE-EMC  
開催期間 2018-10-18 - 2018-10-19 
開催地(和) 八戸商工会館(青森県八戸市) 
開催地(英) Hachinohe Chamber of Commerce and Industry(Hachinohe city, Aomori) 
テーマ(和) シミュレーション技術・EMC、マイクロ波、電磁界シミュレーション、一般 
テーマ(英) Simulation techniques, EMC, Microwave, Electromagnetic field simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2018-10-EST-MW-EMCJ-EMC 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 60GHz帯シリコンCMOSオンチップダイポールアンテナのシリコン貫通ビアによる損失低減の一検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Study of Loss Reduction in 60 GHz Band Silicon CMOS On-Chip Dipole Antenna using TSV 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ミリ波 / Millimeter-wave  
キーワード(2)(和/英) オンチップアンテナ / On-chip antenna  
キーワード(3)(和/英) ダイポールアンテナ / Dipole antenna  
キーワード(4)(和/英) CMOS / CMOS  
キーワード(5)(和/英) シリコン貫通電極 / TSV  
キーワード(6)(和/英) イオン照射 / Ion irradiation  
キーワード(7)(和/英) 放射効率 / Radiation efficiency  
キーワード(8)(和/英) ウェル / Well  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 平野 拓一 / Takuichi Hirano / ヒラノ タクイチ
第1著者 所属(和/英) 東京都市大学 (略称: 東京都市大)
Tokyo City University (略称: Tokyo City Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第2著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第3著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2018-10-19 11:35:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MW 
資料番号 EMCJ2018-51, MW2018-87, EST2018-73 
巻番号(vol) vol.118 
号番号(no) no.247(EMCJ), no.248(MW), no.249(EST) 
ページ範囲 pp.105-109 
ページ数
発行日 2018-10-11 (EMCJ, MW, EST) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会