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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-11-09 10:20 ［招待講演］4H-SiC MOS反転層における電子輸送のモデリング ○田中 一・森 伸也（阪大）  SDM2018-71 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-71 |
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| 抄録 | （和） | 4H-SiC MOS界面における電子散乱過程を定式化し，モンテカルロシミュレーションにより電子移動度の計算を行った．フォノン・イオン化不純物・表面ラフネス散乱に加え，界面準位捕獲電荷によるクーロン散乱とSiC中の中性欠陥による散乱を考慮した．この際，界面準位に捕獲された電荷が散乱源として働くだけでなく遮蔽効果ももたらすと考えることで，実験的に報告されているHall移動度の振る舞いが再現された． |
| （英） | We formulated scattering mechanisms in 4H-SiC MOS interfaces and calculated the electron mobility by a Monte Carlo simulation. In addition to phonon, ionized impurity, and surface roughness scattering, we considered Coulomb scattering by the charges trapped at interface states and scattering by neutral defects in SiC. By assuming that the trapped charges contribute to screening as well as scattering, the developed model is able to reproduce experimental behaviors of Hall mobility. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / MOS / 界面準位 / 散乱 / 移動度 / / / |
| （英） | 4H-SiC / MOS / interface states / scattering / mobility / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 291, SDM2018-71, pp. 35-40, 2018年11月. | |
| 資料番号 | SDM2018-71 | |
| 発行日 | 2018-11-01 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2018-71 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-71 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2018-11-08 - 2018-11-09 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2018-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 4H-SiC MOS反転層における電子輸送のモデリング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Modeling of Electron Transport in 4H-SiC MOS Inversion Layers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(3)（和/英） | 界面準位 / interface states |
| キーワード(4)（和/英） | 散乱 / scattering |
| キーワード(5)（和/英） | 移動度 / mobility |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 一 / Hajime Tanaka / タナカ ハジメ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 伸也 / Nobuya Mori / モリ ノブヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-11-09 10:20:00 |
| 発表時間 | 60分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2018-71 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.291 |
| ページ範囲 | pp.35-40 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-11-01 (SDM) |
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