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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-11-30 13:30 光励起誘導放出光測定によるInGaN量子井戸レーザのポテンシャル揺らぎ評価 ○大島一輝・池田優真・坂井繁太・山口敦史（金沢工大）・蟹谷裕也・冨谷茂隆（ソニー）  ED2018-49 CPM2018-83 LQE2018-103 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2018-49 CPM2018-83 LQE2018-103 |
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| 抄録 | （和） | InGaN量子井戸(QW)では、In組成揺らぎや井戸幅揺らぎに起因してポテンシャル揺らぎが顕著に現れる。これまでに、この揺らぎの度合いを評価するために様々な手法が提案されているが、手法によって得られる結果が必ずしも一致しないことが問題となっている。そこで本研究では、このポテンシャル揺らぎがレーザ特性に与える影響を議論するためには光学利得特性から直接揺らぎを評価するのが最も望ましいと考え、理論的な検討を行った。さらにInGaN-QWレーザにおける光励起誘導放出光測定を行い、しきい値励起光強度密度の温度依存性から揺らぎを評価する新たな手法を見出した。 |
| （英） | It is well-known that the characteristics of InGaN quantum-well (QW) laser diodes are strongly affected by the potential fluctuation (alloy compositional fluctuation and/or well-width fluctuation) in the active layers. Various methods to evaluate the degree of the potential fluctuation, have been proposed so far, but the estimated values are sometimes different depending on the estimation method. In this study, we have theoretically investigated the effects of the potential fluctuation on the lasing characteristics and have found a new method to evaluate the degree of fluctuation from the temperature dependence of the lasing threshold excitation power density. | |
| キーワード | （和） | InGaN量子井戸レーザ / ポテンシャル揺らぎ / 光励起誘導放出 / レーザ閾値 / / / / |
| （英） | InGaN quantum-well laser diodes / Potential fluctuation / Stimulated emission / Lasing threshold / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 332, LQE2018-103, pp. 79-82, 2018年11月. | |
| 資料番号 | LQE2018-103 | |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2018-49 CPM2018-83 LQE2018-103 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2018-49 CPM2018-83 LQE2018-103 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2018-11-29 - 2018-11-30 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2018-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 光励起誘導放出光測定によるInGaN量子井戸レーザのポテンシャル揺らぎ評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A new method to evaluate the degree of potential fluctuation in InGaN quantum-well laser diodes by optical-pump stimulated-emission measurements |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN量子井戸レーザ / InGaN quantum-well laser diodes |
| キーワード(2)（和/英） | ポテンシャル揺らぎ / Potential fluctuation |
| キーワード(3)（和/英） | 光励起誘導放出 / Stimulated emission |
| キーワード(4)（和/英） | レーザ閾値 / Lasing threshold |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大島 一輝 / Itsuki Oshima / オオシマ イツキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. tec.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 優真 / Yuma Ikeda / イケダ ユウマ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. tec.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂井 繁太 / Shigeta Sakai / サカイ シゲタ |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. tec.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 敦史 / A. A. Yamaguchi / ヤマグチ アツシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. tec.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蟹谷 裕也 / Yuya Kanitani / カニタニ ユウヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 (略称： ソニー) Sony Corporation (略称： Sony) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冨谷 茂隆 / Shigetaka Tomiya / トミヤ シゲタカ |
| 第6著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 (略称： ソニー) Sony Corporation (略称： Sony) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-11-30 13:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2018-49, CPM2018-83, LQE2018-103 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.330(ED), no.331(CPM), no.332(LQE) |
| ページ範囲 | pp.79-82 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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