講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-01-17 15:00
ピットアシストオーミック技術によるInAlGaN/GaN HEMTの性能向上 ○熊崎祐介・尾崎史朗・美濃浦優一・牧山剛三・多木俊裕・岡本直哉・中村哲一(富士通研) ED2018-77 MW2018-144 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2018-77 MW2018-144 |
抄録 |
(和) |
InAlGaN/GaN HEMTのコンタクト抵抗低減を目的として,オーミック金属/InAlGaN界面にピット構造を導入するピットアシストオーミック技術の検討を行った.ピット構造は試料をTMAHに浸漬する簡便な手法により形成することができた.コンタクト抵抗はピット占有率と相関を持ち,平坦部,ピット側壁部,ピット底部で異なる接触抵抗率を持つものとみなして計算することで説明可能であることを示した.最適な条件の適用により,Al融点以下のアニール温度においても0.38 Ω・mmのコンタクト抵抗を得ることができ,DC特性においてもオン抵抗,ドレイン電流,相互コンダクタンスがそれぞれ改善することを明らかにした.ピットアシストオーミック技術は簡便なプロセス,低アニール処理温度により,コンタクト抵抗の低減を実現できることから,有用かつ実用的な技術であるといえる. |
(英) |
Low contact resistance was realized in InAlGaN/GaN HEMTs by the introduction of pit structures on the metal/InAlGaN interface. Contact resistance was strongly affected by pit morphology, and it could be roughly explained by assuming the pit structure as a parallel circuit. InAlGaN/GaN HEMT with pit-assisted ohmic contact shows low contact resistance of 0.38 Ω・mm with less variation, and exhibited improved DC characteristics. It can be concluded that the pit-assisted ohmic contact is a cost-effective practical technique to obtain a low contact resistance from a low temperature annealing. |
キーワード |
(和) |
HEMT / パワーアンプ / ミリ波 / InAlGaN / オーミック / コンタクト抵抗 / / |
(英) |
HEMT / Power Amplifier / Millimeter wave / InAlGaN / Ohmic / Contact resistance / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 402, ED2018-77, pp. 51-54, 2019年1月. |
資料番号 |
ED2018-77 |
発行日 |
2019-01-10 (ED, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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