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講演抄録/キーワード
講演名
2019-12-24 14:05
Al2O3絶縁膜上に作製したGa-Sn-O TFT
○
服部一輝
・
谷野健太
・
松田時宜
・
木村 睦
(
龍谷大
)・
川原村敏幸
(
高知工科大
)
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抄録
(和)
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文献情報
信学技報
資料番号
発行日
ISSN
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研究会情報
研究会
SDM EID ITE-IDY
開催期間
2019-12-24 - 2019-12-24
開催地(和)
奈良先端大(物質領域 大講義室)
開催地(英)
NAIST
テーマ(和)
半導体材料プロセス・デバイス研究会
テーマ(英)
Semiconductor Material Process and Device Meeting
講演論文情報の詳細
申込み研究会
ITE-IDY
会議コード
2019-12-SDM-EID-IDY
本文の言語
日本語
タイトル(和)
Al2O3絶縁膜上に作製したGa-Sn-O TFT
サブタイトル(和)
タイトル(英)
Ga-Sn-O TFT fabricated on Al2O3 insulating film
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
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キーワード(2)(和/英)
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キーワード(3)(和/英)
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キーワード(4)(和/英)
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キーワード(5)(和/英)
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キーワード(6)(和/英)
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キーワード(7)(和/英)
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キーワード(8)(和/英)
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
服部 一輝
/
Kazuki Hattori
/
ハットリ カズキ
第1著者 所属(和/英)
龍谷大学
(略称:
龍谷大
)
Ryukoku University
(略称:
Ryukoku Univ
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
谷野 健太
/
Kenta Tanino
/
タニノ ケンタ
第2著者 所属(和/英)
龍谷大学
(略称:
龍谷大
)
Ryukoku University
(略称:
Ryukoku Univ
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
松田 時宜
/
Tokiyoshi Matsuda
/
マツダ トキヨシ
第3著者 所属(和/英)
龍谷大学
(略称:
龍谷大
)
Ryukoku University
(略称:
Ryukoku Univ
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
木村 睦
/
Mutsumi Kimura
/
キムラ ムツミ
第4著者 所属(和/英)
龍谷大学
(略称:
龍谷大
)
Ryukoku University
(略称:
Ryukoku Univ
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
川原村 敏幸
/
Toshiyuki Kawaharamura
/
カワハラムラ トシユキ
第5著者 所属(和/英)
高知工科大学
(略称:
高知工科大
)
Kochi University of Technology
(略称:
Kochi Univ of Tech
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第6著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第7著者 所属(和/英)
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(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第8著者 所属(和/英)
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第9著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第10著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第11著者 所属(和/英)
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(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第12著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第13著者 所属(和/英)
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第14著者 所属(和/英)
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第15著者 所属(和/英)
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第16著者 所属(和/英)
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第17著者 所属(和/英)
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第18著者 所属(和/英)
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第19著者 所属(和/英)
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第20著者 所属(和/英)
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(略称: )
講演者
第1著者
発表日時
2019-12-24 14:05:00
発表時間
20分
申込先研究会
ITE-IDY
資料番号
巻番号(vol)
vol.119
号番号(no)
ページ範囲
ページ数
発行日
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