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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2020-08-07 11:00 急峻なSSを持つ“PN-Body Tied SOI-FET ”のCMOSインバータ伝達特性 ○石黒翔太・井田次郎・森 貴之（金沢工大）・石橋孝一郎（電通大）  SDM2020-8 ICD2020-8 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2020-8 ICD2020-8 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では、我々が提案している急峻なSubthreshold Slope (SS)を持つ“PN Body-Tied SOI-FET ”を用いたCMOSインバータの伝達特性の測定結果を初めて報告する。今までNMOSとPMOSそれぞれで急峻なSSを持つことを報告していた。今回はそれらを組み合わせたCMOSインバータの特性評価を行った。NMOSとPMOSのSSの位置を重ね合わせた場合、従来のSOI-CMOSの場合と比較して、非常に急峻で直角な伝達特性を示した。これは、PNBT-SOI FETが理想的な急峻SSを持つため確認された、興味深い結果と考える。また入力電圧step 100μVのときに78dB程度の大きな電圧利得が得られることも分かった。 |
| （英） | In this study, we report the CMOS Inverter Transfer Characteristics on Steep SS “PN-Body Tied SOI-FET” proposed in our laboratory. So far, we have reported that NMOS and PMOS have Steep SS in each of them. In this paper, we report the characterization of a CMOS inverter that combines NMOS and PMOS, for the first time. When the SS positions are superimposed, they are very steep and perpendicular, compared with the conventional SOI-CMOS case. The results show that the transfer characteristics of the PNBT-SOI FETs are very good. This is an interesting result confirmed by the PNBT-SOI FETs because they have an ideal steep SS. A large voltage gain of about 78 dB was found with an input voltage step 100µv. | |
| キーワード | （和） | CMOS インバータ / SOI / Steep Subthreshold Slope / / / / / |
| （英） | CMOS Inverter / SOI / Steep Subthreshold Slope / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 126, SDM2020-8, pp. 37-40, 2020年8月. | |
| 資料番号 | SDM2020-8 | |
| 発行日 | 2020-07-30 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2020-8 ICD2020-8 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2020-8 ICD2020-8 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM ITE-IST |
| 開催期間 | 2020-08-06 - 2020-08-07 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2020-08-ICD-SDM-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 急峻なSSを持つ“PN-Body Tied SOI-FET ”のCMOSインバータ伝達特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | CMOS Inverter Transfer Characteristics on Steep SS “PN-Body Tied SOI-FET” |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMOS インバータ / CMOS Inverter |
| キーワード(2)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(3)（和/英） | Steep Subthreshold Slope / Steep Subthreshold Slope |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石黒 翔太 / Shota Ishiguro / イシグロ ショウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井田 次郎 / Jiro Ida / イダ ジロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 貴之 / Takayuki Mori / モリ タカユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石橋 孝一郎 / Koichiro Ishibashi / イシバシ コウイチロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-08-07 11:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2020-8, ICD2020-8 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.126(SDM), no.127(ICD) |
| ページ範囲 | pp.37-40 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-07-30 (SDM, ICD) |
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