講演抄録/キーワード |
講演名 |
2020-11-20 14:30
[招待講演]絶縁膜原子層エッチングにおける加工特性の定量考察 ○久保井信行(ソニーセミコンダクタソリューションズ) SDM2020-32 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2020-32 |
抄録 |
(和) |
F系ガスを用いポリマー層が形成される絶縁膜の原子層エッチング(ALE)では必ずしもSelf-limitでないため、半導体製造の実用においては、加工メカニズムの理解と緻密な制御が非常に重要となる。本論文では、著者らがこれまで構築してきた絶縁膜の表面反応モデルに、デポジッションステップ時の残留Fやポリマー層中のFの影響を加味して現実的なALE反応をモデル化し、SiO2膜とSi3N4膜上でのポリマー膜厚の違いのメカニズムおよびサイクル時間の制御、ポリマー層と絶縁膜の界面でのイオンエネルギーの制御、低ダメージ化のためのイオンエネルギー単色化が重要であることを、従来のCWエッチングと対比しつつシミュレーション解析で定量的に初めて示した。また、SAC加工で課題となっているSiO2エッチレート改善の考察を行い、改善条件と限界を示した。 |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
絶縁膜 / 原子層エッチング / エッチレート / 選択比 / モデリング / シミュレーション / / |
(英) |
/ / / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 120, no. 239, SDM2020-32, pp. 47-51, 2020年11月. |
資料番号 |
SDM2020-32 |
発行日 |
2020-11-12 (SDM) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2020-32 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2020-32 |