講演抄録/キーワード |
講演名 |
2021-11-25 10:55
発光分光によるCuハライド薄膜の欠陥の検討 ○藤島 睦・田中久仁彦・渡辺海斗・辻本直也(長岡技科大) ED2021-17 CPM2021-51 LQE2021-29 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2021-17 CPM2021-51 LQE2021-29 |
抄録 |
(和) |
本研究ではp型半導体であるCuBr1-xIx(CuBrI)薄膜をスピンコート法によりガラス基板上に堆積させ,薄膜作製時に発生するハロゲン抜けの低減を溶液浸透法により試みた.作製したサンプルは,透過スペクトル,Electron probe micro analysis (EPMA),X-ray diffraction (XRD),Photoluminescence (PL)により評価した.透過スペクトルの結果より,透過率は約80%であることがわかった.また,ハロゲンを含む溶液に浸すことで励起子吸収が高エネルギー側にシフトすることがわかった.EPMAの結果より薄膜内の臭素の増加はみられなかったものの,ヨウ素を増加させることができた.XRDの結果から,溶液に浸すことで膜中のヨウ素が増え、部分的にヨウ素過剰なCuBrIとややヨウ素過剰なCuBrIができていることがわかった.また,PLの結果より,溶液に浸すことで励起子発光が強まり,欠陥に由来する発光が弱くなっていることがわかった. |
(英) |
In this study, CuBr1-xIx (CuBrI) thin films, which are transparent p-type semiconductors, were deposited on glass substrates by spin coating method. The samples were characterized by transmission spectra, Electron probe micro analysis (EPMA), X-ray diffraction (XRD) and Photoluminescence (PL). The transmission spectra showed that the transmittance was about 80%. EPMA results showed that the bromine in the film did not increase but the iodine increased. The PL results show that the exciton luminescence is enhanced by immersion in the solution, while the luminescence originating from defects is weakened. |
キーワード |
(和) |
p型半導体 / CuBrI / Photoluminescence / 溶液浸透法 / / / / |
(英) |
p-type semiconductor / CuBrI / Photoluminescence / solution penetration method / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 121, no. 260, CPM2021-51, pp. 13-18, 2021年11月. |
資料番号 |
CPM2021-51 |
発行日 |
2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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