講演抄録/キーワード |
講演名 |
2021-11-26 15:20
AlNテンプレート上へのAlGaNチャネルHEMT作製と電気的特性評価 ○森 隆一・上杉謙次郎・窪谷茂幸・正直花奈子・三宅秀人(三重大) ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45 |
抄録 |
(和) |
スパッタ法と高温アニール処理を組み合わせて作製した低転位密度のAlNテンプレート上に,MOVPE法を用いてチャネル膜厚100–1000 nmの$Al_{0.85}Ga_{0.15}N$/$Al_{0.60}Ga_{0.40}N$ HEMT構造を成長させることで,チャネル膜厚がHEMTの特性に与える影響を調べた.チャネル膜厚の増加に伴いHEMT構造の表面平坦性・結晶性はともに低下するが,一方でシートキャリア濃度およびHall移動度はチャネル膜厚が500 nmまではチャネル膜厚の増加に伴い増加し,その後減少に転じた.また,チャネル膜厚500 nmのHEMTのI-V特性からは飽和電流密度7.6 mA/mm,オフ特性からドレイン・ソース間距離20 $mu$mで絶縁破壊電圧1 kVを得た. |
(英) |
$Al_{0.85}Ga_{0.15}N$/$Al_{0.60}Ga_{0.40}N$ HEMT structures with channel thicknesses of 100–1000 nm were grown on low-dislocation-density AlN templates prepared by a combination of sputtering and high-temperature annealing using the MOVPE method, and the effect of channel thickness on HEMT properties was investigated. Both the surface flatness and crystallinity of the HEMT structure decreased with increasing channel thickness, while the sheet carrier concentration and Hall mobility increased with increasing channel thickness up to 500 nm, and then began to decrease. The I-V characteristics of HEMT with a channel thickness of 500 nm indicated a saturation current density of 7.6 mA/mm, and the off-state characteristics exhibited a breakdown voltage of 1 kV with drain-source length of 20 $mu$m. |
キーワード |
(和) |
AlGaN / 有機金属気相成長法 / 2DEG / 電子移動度 / AlGaNチャネル / / / |
(英) |
AlGaN / MOVPE / 2DEG / Electron mobility / AlGaN channel / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 121, no. 259, ED2021-33, pp. 83-86, 2021年11月. |
資料番号 |
ED2021-33 |
発行日 |
2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45 |
研究会情報 |
研究会 |
ED CPM LQE |
開催期間 |
2021-11-25 - 2021-11-26 |
開催地(和) |
オンライン開催 |
開催地(英) |
Online |
テーマ(和) |
窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2021-11-ED-CPM-LQE |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
AlNテンプレート上へのAlGaNチャネルHEMT作製と電気的特性評価 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Fabrication and electrical property characterization of AlGaN channel HEMT on AlN template |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
AlGaN / AlGaN |
キーワード(2)(和/英) |
有機金属気相成長法 / MOVPE |
キーワード(3)(和/英) |
2DEG / 2DEG |
キーワード(4)(和/英) |
電子移動度 / Electron mobility |
キーワード(5)(和/英) |
AlGaNチャネル / AlGaN channel |
キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
森 隆一 / Ryuichi Mori / モリ リュウイチ |
第1著者 所属(和/英) |
三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
上杉 謙次郎 / Kenjiro Uesugi / ウエスギ ケンジロウ |
第2著者 所属(和/英) |
三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
窪谷 茂幸 / Shegeyuki Kuboya / クボヤ シゲユキ |
第3著者 所属(和/英) |
三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
正直 花奈子 / Kanako Shojiki / ショウジキ カナコ |
第4著者 所属(和/英) |
三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト |
第5著者 所属(和/英) |
三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2021-11-26 15:20:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2021-33, CPM2021-67, LQE2021-45 |
巻番号(vol) |
vol.121 |
号番号(no) |
no.259(ED), no.260(CPM), no.261(LQE) |
ページ範囲 |
pp.83-86 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |