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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-06-21 14:00 金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響 ○安田 航・田岡紀之・大田晃生・牧原克典・宮﨑誠一（名大）  SDM2022-26 |
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| 抄録 | （和） | 斜方晶Hf系酸化物は5 -10 nmの薄膜においても強誘電性を示すことが知られている。一方で、斜方晶Hf系酸化物は、準安定相のため、その安定化、形成方法などの課題が挙げられる。本研究では、異なる結晶面方位のSi基板上に金属Hfを堆積、熱処理によってHf酸化物を形成し、その結晶構造、化学結合状態、組成を詳細に調べた。Si(111)基板上に形成した場合、Si(100)と比較して、Hf酸化物中へのSi拡散が抑制されることが明らかとなった。またSi(111)基板上のHf酸化物では、Si(100)上と比較して、最安定の単斜晶相形成が抑制され、斜方晶/正方晶相が支配的であることが明らかとなった。 |
| （英） | Orthorhombic (O)Hf-based oxide exhibits ferroelectricity even in a thin film with a thickness of 5-10 nm. However, there are some issues of formation and stabilization, because the O phase is a metastable phase. In this study, a metal Hf layer was deposited on a Si substrate with different surface orientations, and then, a Hf oxide layer was formed by thermal oxidation of the Hf layer. Chemical bonding features, composition and crystalline structures were investigated using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and grazing incident x-ray diffraction (GIXRD). Diffusion of Si into the Hf-oxide layer on a Si(111) substrate was suppressed by comparing with that formed on a Si(100) substrate. The crystalline structures of the Hf-oxide layer on the Si(111) substrate are mainly O and tetragonal phases, suppressing monoclinic phase by comparing with on the Si(100) substrate. | |
| キーワード | （和） | ハフニウム / 強誘電体 / 結晶構造 / 化学結合状態 / / / / |
| （英） | Hafnium / Ferroelectricity / Crystalline structure / Chemical bonding feature / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 84, SDM2022-26, pp. 9-12, 2022年6月. | |
| 資料番号 | SDM2022-26 | |
| 発行日 | 2022-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2022-26 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2022-06-21 - 2022-06-21 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 VBL３F |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. VBL3F |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices, Memories, and Power Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2022-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impacts of Surface Orientation of Si Substrate on Crystalline Structures and Chemical Composition of Hf-oxide Layers Formed by Post Oxidation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ハフニウム / Hafnium |
| キーワード(2)（和/英） | 強誘電体 / Ferroelectricity |
| キーワード(3)（和/英） | 結晶構造 / Crystalline structure |
| キーワード(4)（和/英） | 化学結合状態 / Chemical bonding feature |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安田 航 / Wataru Yasuda / ヤスダ ワタル |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田岡 紀之 / Noriyuki Taoka / タオカ ノリユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 晃生 / Akio Ohta / オオタ アキオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧原 克典 / Katsunori Makihara / マキハラ カツノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮﨑 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-06-21 14:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2022-26 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.84 |
| ページ範囲 | pp.9-12 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-06-14 (SDM) |
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