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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-10-19 11:10 次世代メモリ用薄膜の統計的解析を行う高精度・広範囲抵抗測定技術 ○光田薫未・天満亮介・間脇武蔵・黒田理人（東北大）  SDM2022-55 |
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| 抄録 | （和） | 本稿では様々な次世代メモリ向け薄膜を高精度・広範囲・統計評価可能な抵抗測定回路技術について報告する．本回路は，アレイ状に配備したセル内の寄生抵抗の影響を受けず材料の抵抗値を高速・高精度に測定でき，1Ω –100MΩ の広範囲な抵抗測定が可能である．また，簡便なプロセスで材料を形成できる共通なアレイテスト回路を用いて，330,000セルの規模のメモリ材料の抵抗値を測定可能である．今回，我々は新しく開発した抵抗測定回路の動作検証を行ったのでその内容を報告する． |
| （英） | We report on a resistance measurement circuit that enables accurate, wide-range, and statistical evaluation of various thin films for next-generation memory. This circuit is highly accurate because it can measure the resistance of materials without being affected by parasitic resistance in the cells placed in an array, and it can measure a wide range of resistances from 1Ω to 100MΩ. The developed circuit can measure the resistance of memory materials with a scale of 330,000 cells using a common array test circuit that can form the material using a simple process. In this study, we verified the operation of our newly developed resistance measurement circuit. | |
| キーワード | （和） | 次世代メモリ / アレイテスト回路 / 抵抗値 / 統計的解析 / / / / |
| （英） | Emerging Memory / Array Test Circuit / Resistance / Statistical Analysis / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 215, SDM2022-55, pp. 5-8, 2022年10月. | |
| 資料番号 | SDM2022-55 | |
| 発行日 | 2022-10-12 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2022-55 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2022-10-19 - 2022-10-19 |
| 開催地（和） | オンライン開催に変更 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2022-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 次世代メモリ用薄膜の統計的解析を行う高精度・広範囲抵抗測定技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Resistance Masurement Technology for Statistical Analysis of Thin Films Materials for Emerging Memory with High Accuracy and Wide Range |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 次世代メモリ / Emerging Memory |
| キーワード(2)（和/英） | アレイテスト回路 / Array Test Circuit |
| キーワード(3)（和/英） | 抵抗値 / Resistance |
| キーワード(4)（和/英） | 統計的解析 / Statistical Analysis |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 光田 薫未 / Hidemi Mitsuda / ミツダ ヒデミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天満 亮介 / Ryousuke Tenman / テンマン リョウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 間脇 武蔵 / Takezou Mawaki / マワキ タケゾウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒田 理人 / Rihito Kuroda / クロダ リヒト |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-10-19 11:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2022-55 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.215 |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-10-12 (SDM) |
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