講演抄録/キーワード |
講演名 |
2022-10-19 16:30
[招待講演]CO2熱処理によるSiC MOSFETの信頼性向上 ○細井卓治(関西学院大)・志村考功・渡部平司(阪大) SDM2022-62 |
抄録 |
(和) |
低損失パワーデバイスとして期待されるSiC MOSFETは閾値電圧変動が信頼性上の課題となっている.SiC MOSFETではSiO2/SiC界面欠陥終端のためにNO熱処理が一般的であるが,本研究では,NO熱処理後にCO2熱処理を施すことにより,電子注入耐性と正孔注入耐性の両方を向上することに成功した.SiO2中の酸素空孔の補償が電子トラップ低減に,SiO2/SiC界面のSiO2側に存在する過剰な窒素の選択的除去が正孔トラップ低減につながったと考えられる. |
(英) |
Threshold voltage instability is one of the reliability concerns for SiC MOSFETs. NO post-oxidation annealing (NO-POA) is commonly used to passivate interfacial defects at the SiO2/SiC interface. In this work, a combination of NO-POA and subsequent CO2 annealing was demonstrated to improve the immunity against both electron and hole trapping in SiC MOSFETs. Compensation of oxygen vacancies in the SiO2 and selective removal of excess nitrogen atoms on the SiO2 side of the SiO2/SiC interface would lead to the reduction in electron and hole traps, respectively. |
キーワード |
(和) |
SiC / MOSFET / 信頼性 / 閾値電圧変動 / CO2 / 酸素空孔 / NO / |
(英) |
SiC / MOSFET / reliability / threshold voltage instability / CO2 / oxygen vacancy / NO / |
文献情報 |
信学技報, vol. 122, no. 215, SDM2022-62, pp. 34-37, 2022年10月. |
資料番号 |
SDM2022-62 |
発行日 |
2022-10-12 (SDM) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2022-62 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2022-10-19 - 2022-10-19 |
開催地(和) |
オンライン開催に変更 |
開催地(英) |
Online |
テーマ(和) |
プロセス科学と新プロセス技術 |
テーマ(英) |
Process Science and New Process Technology |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2022-10-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
CO2熱処理によるSiC MOSFETの信頼性向上 |
サブタイトル(和) |
|
タイトル(英) |
Reliability improvement of SiC MOSFET by high-temperature CO2 annealing |
サブタイトル(英) |
|
キーワード(1)(和/英) |
SiC / SiC |
キーワード(2)(和/英) |
MOSFET / MOSFET |
キーワード(3)(和/英) |
信頼性 / reliability |
キーワード(4)(和/英) |
閾値電圧変動 / threshold voltage instability |
キーワード(5)(和/英) |
CO2 / CO2 |
キーワード(6)(和/英) |
酸素空孔 / oxygen vacancy |
キーワード(7)(和/英) |
NO / NO |
キーワード(8)(和/英) |
/ |
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
細井 卓治 / Takuji Hosoi / ホソイ タクジ |
第1著者 所属(和/英) |
関西学院大学 (略称: 関西学院大)
Kwansei Gakuin University (略称: Kwansei Gakuin Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
志村 考功 / Takayoshi Shimura / シムラ タカヨシ |
第2著者 所属(和/英) |
大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
渡部 平司 / Heiji Watanabe / ワタナベ ヘイジ |
第3著者 所属(和/英) |
大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第4著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第5著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第6著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第7著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第8著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第9著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第10著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第11著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第12著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第13著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第14著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第15著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第16著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第17著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第18著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第19著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第20著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2022-10-19 16:30:00 |
発表時間 |
50分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2022-62 |
巻番号(vol) |
vol.122 |
号番号(no) |
no.215 |
ページ範囲 |
pp.34-37 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2022-10-12 (SDM) |