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講演抄録/キーワード
講演名 2022-10-21 09:25
直接接合GaInAsP/SOI光デバイスの活性層光閉じ込め係数制御に向けた層構造の検討
佐々木龍耶勝山 造大礒義孝菊地健彦エイッサ モータズ雨宮智宏西山伸彦東工大OCS2022-28 OPE2022-74 LQE2022-37
抄録 (和) 光トランシーバの小型化・低消費電力化の実現には,集積化技術が重要となる.そこで,同一のエピウェハから特性の異なる直接接合GaInAsP/SOI光デバイスを作製するため,Si導波路幅での活性層光閉じ込め係数の制御範囲が大きいエピタキシャル層構造をシミュレーションによるモードフィールド計算により検討した.その結果,超格子層厚を604 nm仮定すると,シリコン導波路幅を0~5 μmの範囲で調整することで光閉じ込め係数は,2.0~4.2 %の範囲で変化させることができた.これをハイブリッドSOAへ適応することで,飽和光出力/利得は,20 dBm/12 dB~13 dBm/32 dBとなり,広い範囲で特性を制御できることが期待される. 
(英) Integration technology is important to realize miniaturization and low power consumption of optical transceivers. To fabricate direct bonding GaInAsP/SOI optical devices with different characteristics from the same epi-wafer, we investigated epitaxial layer structures with a large control range of active-layer optical confinement coefficients in the Si waveguide width by mode-field calculation using simulations. As a result, assuming a superlattice layer thickness of 604 nm, the optical confinement factor can be varied from 2.0 to 4.2 % by adjusting the Si waveguide width in the range of 0 to 5 μm. By applying this method to a hybrid SOA, the saturation optical output power/gain is expected to be 20 dBm/12 dB~13 dBm/32 dB, and the characteristics are expected to be controllable over a wide range.
キーワード (和) 光集積回路 / シリコンフォトニクス / / / / / /  
(英) Photonic Integrated Circuit / Silicon photonics / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 122, no. 218, LQE2022-37, pp. 60-63, 2022年10月.
資料番号 LQE2022-37 
発行日 2022-10-13 (OCS, OPE, LQE) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OCS2022-28 OPE2022-74 LQE2022-37

研究会情報
研究会 OPE OCS LQE  
開催期間 2022-10-20 - 2022-10-21 
開催地(和) 松山市民会館 小ホール 
開催地(英)  
テーマ(和) 超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2022-10-OPE-OCS-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 直接接合GaInAsP/SOI光デバイスの活性層光閉じ込め係数制御に向けた層構造の検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Investigation of layer structure for controlling optical confinement factor of active layer in direct bonding GaInAsP/SOI optical devices 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 光集積回路 / Photonic Integrated Circuit  
キーワード(2)(和/英) シリコンフォトニクス / Silicon photonics  
キーワード(3)(和/英) /  
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キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐々木 龍耶 / Ryuya Sasaki / ササキ リュウヤ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 勝山 造 / Tsukuru Katsuyama / カツヤマ ツクル
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大礒 義孝 / Yoshitaka Ooiso / オオイソ ヨシタカ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 菊地 健彦 / Takehiko kikuchi / キクチ タケヒコ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) エイッサ モータズ / Moataz Eissa / エイッサ モータズ
第5著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 雨宮 智宏 / Tomohiro Amemiya / アメミヤ トモヒロ
第6著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama / ニシヤマ ノブヒコ
第7著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
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講演者 第1著者 
発表日時 2022-10-21 09:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 OCS2022-28, OPE2022-74, LQE2022-37 
巻番号(vol) vol.122 
号番号(no) no.216(OCS), no.217(OPE), no.218(LQE) 
ページ範囲 pp.60-63 
ページ数
発行日 2022-10-13 (OCS, OPE, LQE) 


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