講演抄録/キーワード |
講演名 |
2022-10-21 09:25
直接接合GaInAsP/SOI光デバイスの活性層光閉じ込め係数制御に向けた層構造の検討 ○佐々木龍耶・勝山 造・大礒義孝・菊地健彦・エイッサ モータズ・雨宮智宏・西山伸彦(東工大) OCS2022-28 OPE2022-74 LQE2022-37 |
抄録 |
(和) |
光トランシーバの小型化・低消費電力化の実現には,集積化技術が重要となる.そこで,同一のエピウェハから特性の異なる直接接合GaInAsP/SOI光デバイスを作製するため,Si導波路幅での活性層光閉じ込め係数の制御範囲が大きいエピタキシャル層構造をシミュレーションによるモードフィールド計算により検討した.その結果,超格子層厚を604 nm仮定すると,シリコン導波路幅を0~5 μmの範囲で調整することで光閉じ込め係数は,2.0~4.2 %の範囲で変化させることができた.これをハイブリッドSOAへ適応することで,飽和光出力/利得は,20 dBm/12 dB~13 dBm/32 dBとなり,広い範囲で特性を制御できることが期待される. |
(英) |
Integration technology is important to realize miniaturization and low power consumption of optical transceivers. To fabricate direct bonding GaInAsP/SOI optical devices with different characteristics from the same epi-wafer, we investigated epitaxial layer structures with a large control range of active-layer optical confinement coefficients in the Si waveguide width by mode-field calculation using simulations. As a result, assuming a superlattice layer thickness of 604 nm, the optical confinement factor can be varied from 2.0 to 4.2 % by adjusting the Si waveguide width in the range of 0 to 5 μm. By applying this method to a hybrid SOA, the saturation optical output power/gain is expected to be 20 dBm/12 dB~13 dBm/32 dB, and the characteristics are expected to be controllable over a wide range. |
キーワード |
(和) |
光集積回路 / シリコンフォトニクス / / / / / / |
(英) |
Photonic Integrated Circuit / Silicon photonics / / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 122, no. 218, LQE2022-37, pp. 60-63, 2022年10月. |
資料番号 |
LQE2022-37 |
発行日 |
2022-10-13 (OCS, OPE, LQE) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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