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講演抄録/キーワード
講演名 2022-11-10 13:00
[招待講演]GPGPUによるMonte Carloイオン注入の高速化 ~ 高エネルギーイオン注入を対象として ~
町田文枝越本浩央嘉山康之サムスン日本研)・Alexander SchmidtInkook Jangサムスン電子)・山田 悟サムスン日本研)・Dae Sin Kimサムスン電子SDM2022-66
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 122, no. 247, SDM2022-66, pp. 13-13, 2022年11月.
資料番号 SDM2022-66 
発行日 2022-11-03 (SDM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2022-66

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2022-11-10 - 2022-11-11 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2022-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) GPGPUによるMonte Carloイオン注入の高速化 
サブタイトル(和) 高エネルギーイオン注入を対象として 
タイトル(英) GPGPU acceleration of Monte Carlo ion implantation 
サブタイトル(英) for high energy implantation 
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 町田 文枝 / Fumie Machida / マチダ フミエ
第1著者 所属(和/英) 株式会社 サムスン日本研究所 (略称: サムスン日本研)
Samsung R&D Institute Japan Co., Ltd. (略称: SRJ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 越本 浩央 / Hiroo Koshimoto / ヒロオ コシモト
第2著者 所属(和/英) 株式会社 サムスン日本研究所 (略称: サムスン日本研)
Samsung R&D Institute Japan Co., Ltd. (略称: SRJ)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 嘉山 康之 / Yasuyuki Kayama / カヤマ ヤスユキ
第3著者 所属(和/英) 株式会社 サムスン日本研究所 (略称: サムスン日本研)
Samsung R&D Institute Japan Co., Ltd. (略称: SRJ)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) Alexander Schmidt / Alexander Schmidt /
第4著者 所属(和/英) Samsung Electronics, Co.., Ltd. (略称: サムスン電子)
Samsung Electronics, Co.., Ltd. (略称: SEC)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) Inkook Jang / Inkook Jang /
第5著者 所属(和/英) Samsung Electronics, Co.., Ltd. (略称: サムスン電子)
Samsung Electronics, Co.., Ltd. (略称: SEC)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 悟 / Satoru Yamada / ヤマダ サトル
第6著者 所属(和/英) 株式会社 サムスン日本研究所 (略称: サムスン日本研)
Samsung R&D Institute Japan Co., Ltd. (略称: SRJ)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) Dae Sin Kim / Dae Sin Kim /
第7著者 所属(和/英) Samsung Electronics, Co.., Ltd. (略称: サムスン電子)
Samsung Electronics, Co.., Ltd. (略称: SEC)
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講演者 第1著者 
発表日時 2022-11-10 13:00:00 
発表時間 60分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2022-66 
巻番号(vol) vol.122 
号番号(no) no.247 
ページ範囲 p.13 
ページ数
発行日 2022-11-03 (SDM) 


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