講演抄録/キーワード |
講演名 |
2022-11-11 15:15
[招待講演]SiCパワーモジュールの高信頼性設計 ~ 劣化予測へ向けた実験的特性評価 ~ ○福永崇平(阪大)・カスティラッズィ アルベルト(京都先端科学大)・舟木 剛(阪大) SDM2022-76 |
抄録 |
(和) |
本研究では, 高電圧電力変換回路に適用する, SiC MOSFETを用いたマルチチップパワーモジュールの高信頼設計に取り組んでいる.従来のSiパワーデバイスと比べて, SiCパワーデバイスは電気的特性の分散が大きく, また製造コストの観点から, 製造技術が成熟してもある程度の分散を許容して使用されると考えられている.この電気的特性の分散がパワーモジュールの信頼性に大きく影響するため, SiCパワーデバイスに特化したモジュール設計手法が必要になる.本紙では, 構築した自動測定装置を用いて, 市販のSiC MOSFETのゲートしきい値電圧およびオン抵抗の分散を実験的に評価した.得られた結果を踏まえ, 高信頼設計へ向けた展望について述べる. |
(英) |
This research aims to develop the reliable design of multi-chip power modules with SiC MOSFETs for high-voltage power conversion systems. SiC power devices have a wider variance of their electrical characteristics than Si power devices, which will be acceptable to some extent in terms of manufacturing cost even after manufacturing technology matures. Since the parameter variance significantly affects the long-term reliability of power modules, it is required to develop the SiC-bespoke reliable design method. This paper evaluates the electrical parameter variance in several commercial SiC MOSFETs by a custom-developed semi-automatic characterization system. Based on the results obtained, the prospects for a highly reliable design of multi-chip SiC power modules are discussed. |
キーワード |
(和) |
SiC MOSFET / パワーモジュール / 寿命予測 / コンパクトモデル / / / / |
(英) |
SiC MOSFET / power module / aging prediction / compact model / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 122, no. 247, SDM2022-76, pp. 55-60, 2022年11月. |
資料番号 |
SDM2022-76 |
発行日 |
2022-11-03 (SDM) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2022-76 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2022-11-10 - 2022-11-11 |
開催地(和) |
オンライン開催 |
開催地(英) |
Online |
テーマ(和) |
プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
テーマ(英) |
Process, Device, Circuit simulation, etc. |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2022-11-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
SiCパワーモジュールの高信頼性設計 |
サブタイトル(和) |
劣化予測へ向けた実験的特性評価 |
タイトル(英) |
Reliable design of SiC Power Modules |
サブタイトル(英) |
An Experimental Characterization for Aging Prediction |
キーワード(1)(和/英) |
SiC MOSFET / SiC MOSFET |
キーワード(2)(和/英) |
パワーモジュール / power module |
キーワード(3)(和/英) |
寿命予測 / aging prediction |
キーワード(4)(和/英) |
コンパクトモデル / compact model |
キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
福永 崇平 / Shuhei Fukunaga / フクナガ シュウヘイ |
第1著者 所属(和/英) |
大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
カスティラッズィ アルベルト / Alberto Castellazzi / カスティラッズィ アルベルト |
第2著者 所属(和/英) |
京都先端科学大学 (略称: 京都先端科学大)
Kyoto University of Advanced Science (略称: KUAS) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
舟木 剛 / Tsuyoshi Funaki / フナキ ツヨシ |
第3著者 所属(和/英) |
大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第4著者 所属(和/英) |
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第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2022-11-11 15:15:00 |
発表時間 |
60分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2022-76 |
巻番号(vol) |
vol.122 |
号番号(no) |
no.247 |
ページ範囲 |
pp.55-60 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2022-11-03 (SDM) |
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