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講演抄録/キーワード
講演名 2022-12-08 14:10
直流および高周波マグネトロンスパッタ法により成膜した窒化ハフニウム薄膜の仕事関数の測定
大住知暉京大)・長尾昌善産総研)・後藤康仁京大ED2022-53
抄録 (和) 直流および高周波マグネトロンスパッタ法を用い, 成膜時に導入するガスの窒素流量比を変化させ, 窒素組成の異なる窒化ハフニウム(HfN)薄膜を成膜した. 成膜したHfN薄膜の窒素組成を1.6 MeV H+を用いた非ラザフォード後方散乱法により評価し, 大気中での仕事関数をケルビン法により評価した. それぞれの成膜手法で成膜したHfN薄膜の窒素組成と仕事関数の関係を比較したところ, いずれの成膜手法においても, 窒素組成(N/Hf)が0.9から1.1の範囲では, 窒素組成が増加すると仕事関数が上昇する傾向が見られた. 
(英) Hafnium nitride(HfN) thin films were prepared by dc and rf magnetron sputtering. The nitrogen compositions of HfN thin films were controlled by N2 flow ratio during deposition. Nitrogen compositions of HfN thin films were evaluated by non-Rutherford backscattering spectrometry with a 1.6 MeV proton beam. Work functions of the films were evaluated by Kelvin probe in air. The relationships between nitrogen compositions and work functions of the films prepared by different methods were compared. The work functions of HfN thin films increased as nitrogen compositions increased in the range of N/Hf of 0.9-1.1 for both methods.
キーワード (和) 窒化ハフニウム / 仕事関数 / 窒素組成 / 反応性スパッタ法 / / / /  
(英) Hafnium nitride / Work function / Nitrogen composition / Reactive sputtering / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 122, no. 298, ED2022-53, pp. 15-17, 2022年12月.
資料番号 ED2022-53 
発行日 2022-12-01 (ED) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2022-53

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2022-12-08 - 2022-12-09 
開催地(和) 12/8 名大,12/9 ウインク愛知(会場は「詳細はこちら」を参照ください) 
開催地(英) 12/8 Nagoya University, 12/9 WINC AICHI 
テーマ(和) 電子・イオンビーム応用 
テーマ(英) Applications of electron and ion beam 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2022-12-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 直流および高周波マグネトロンスパッタ法により成膜した窒化ハフニウム薄膜の仕事関数の測定 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Measurement of work function of hafnium nitride thin films prepared by dc and rf magnetron sputtering 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 窒化ハフニウム / Hafnium nitride  
キーワード(2)(和/英) 仕事関数 / Work function  
キーワード(3)(和/英) 窒素組成 / Nitrogen composition  
キーワード(4)(和/英) 反応性スパッタ法 / Reactive sputtering  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 大住 知暉 / Tomoaki Osumi / オオスミ トモアキ
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao / ナガオ マサヨシ
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 後藤 康仁 / Yasuhito Gotoh / ゴトウ ヤスヒト
第3著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2022-12-08 14:10:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2022-53 
巻番号(vol) vol.122 
号番号(no) no.298 
ページ範囲 pp.15-17 
ページ数
発行日 2022-12-01 (ED) 


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