講演抄録/キーワード |
講演名 |
2022-12-08 14:10
直流および高周波マグネトロンスパッタ法により成膜した窒化ハフニウム薄膜の仕事関数の測定 ○大住知暉(京大)・長尾昌善(産総研)・後藤康仁(京大) ED2022-53 |
抄録 |
(和) |
直流および高周波マグネトロンスパッタ法を用い, 成膜時に導入するガスの窒素流量比を変化させ, 窒素組成の異なる窒化ハフニウム(HfN)薄膜を成膜した. 成膜したHfN薄膜の窒素組成を1.6 MeV H+を用いた非ラザフォード後方散乱法により評価し, 大気中での仕事関数をケルビン法により評価した. それぞれの成膜手法で成膜したHfN薄膜の窒素組成と仕事関数の関係を比較したところ, いずれの成膜手法においても, 窒素組成(N/Hf)が0.9から1.1の範囲では, 窒素組成が増加すると仕事関数が上昇する傾向が見られた. |
(英) |
Hafnium nitride(HfN) thin films were prepared by dc and rf magnetron sputtering. The nitrogen compositions of HfN thin films were controlled by N2 flow ratio during deposition. Nitrogen compositions of HfN thin films were evaluated by non-Rutherford backscattering spectrometry with a 1.6 MeV proton beam. Work functions of the films were evaluated by Kelvin probe in air. The relationships between nitrogen compositions and work functions of the films prepared by different methods were compared. The work functions of HfN thin films increased as nitrogen compositions increased in the range of N/Hf of 0.9-1.1 for both methods. |
キーワード |
(和) |
窒化ハフニウム / 仕事関数 / 窒素組成 / 反応性スパッタ法 / / / / |
(英) |
Hafnium nitride / Work function / Nitrogen composition / Reactive sputtering / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 122, no. 298, ED2022-53, pp. 15-17, 2022年12月. |
資料番号 |
ED2022-53 |
発行日 |
2022-12-01 (ED) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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ED2022-53 |