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講演抄録/キーワード
講演名 2023-01-18 13:40
[依頼講演]レーザーテラヘルツ放射顕微鏡によるGaN-HEMTの界面ポテンシャル分布
高田徳幸産総研OME2022-63
抄録 (和) レーザーテラヘルツ放射顕微鏡(LTEM)は、半導体表面・界面にフェムト秒光パルスを照射し、光電流や分極の時間変化に由来して放射されるTHz波を検出することで、電場/電荷移動等の情報分析を可能にする技術である。本研究ではLTEMを用いて、動作中のGaN-HEMTにおけるAlGaN/GaN界面ポテンシャル変化を可視化できたので報告する。 
(英) Laser Terahertz Emission Microscopy (LTEM) can observe electric field/charge transfer by detecting THz waves emitted due to time-dependent changes in photocurrent and polarization on irradiating femtosecond light pulses to semiconductor surfaces/interfaces. In this study, we report on the visualization of the AlGaN/GaN interfacial potential change in GaN-HEMT during operation using LTEM.
キーワード (和) LTEM / THz波 / GaN-HEMT / 2DEG / 空乏層 / / /  
(英) LTEM / THz wave / GaN-HEMT / 2DEG / depletion layer / / /  
文献情報 信学技報, vol. 122, no. 336, OME2022-63, pp. 1-3, 2023年1月.
資料番号 OME2022-63 
発行日 2023-01-11 (OME) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OME2022-63

研究会情報
研究会 OME IEE-DEI  
開催期間 2023-01-18 - 2023-01-19 
開催地(和) 愛知・日間賀島 ホテル浦島 
開催地(英) Aichi Himaka island ホテル浦島 
テーマ(和) 有機薄膜,有機・バイオデバイス,一般 
テーマ(英) Organic Thin Films, Organic・biotechnology, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2023-01-OME-DEI 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) レーザーテラヘルツ放射顕微鏡によるGaN-HEMTの界面ポテンシャル分布 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Interface potential distribution in GaN-HEMT using Laser Terahertz Emission Microscope 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) LTEM / LTEM  
キーワード(2)(和/英) THz波 / THz wave  
キーワード(3)(和/英) GaN-HEMT / GaN-HEMT  
キーワード(4)(和/英) 2DEG / 2DEG  
キーワード(5)(和/英) 空乏層 / depletion layer  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 高田 徳幸 / Noriyuki Takada / タカダ ノリユキ
第1著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2023-01-18 13:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 OME 
資料番号 OME2022-63 
巻番号(vol) vol.122 
号番号(no) no.336 
ページ範囲 pp.1-3 
ページ数
発行日 2023-01-11 (OME) 


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