講演抄録/キーワード |
講演名 |
2023-01-18 13:40
[依頼講演]レーザーテラヘルツ放射顕微鏡によるGaN-HEMTの界面ポテンシャル分布 ○高田徳幸(産総研) OME2022-63 |
抄録 |
(和) |
レーザーテラヘルツ放射顕微鏡(LTEM)は、半導体表面・界面にフェムト秒光パルスを照射し、光電流や分極の時間変化に由来して放射されるTHz波を検出することで、電場/電荷移動等の情報分析を可能にする技術である。本研究ではLTEMを用いて、動作中のGaN-HEMTにおけるAlGaN/GaN界面ポテンシャル変化を可視化できたので報告する。 |
(英) |
Laser Terahertz Emission Microscopy (LTEM) can observe electric field/charge transfer by detecting THz waves emitted due to time-dependent changes in photocurrent and polarization on irradiating femtosecond light pulses to semiconductor surfaces/interfaces. In this study, we report on the visualization of the AlGaN/GaN interfacial potential change in GaN-HEMT during operation using LTEM. |
キーワード |
(和) |
LTEM / THz波 / GaN-HEMT / 2DEG / 空乏層 / / / |
(英) |
LTEM / THz wave / GaN-HEMT / 2DEG / depletion layer / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 122, no. 336, OME2022-63, pp. 1-3, 2023年1月. |
資料番号 |
OME2022-63 |
発行日 |
2023-01-11 (OME) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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OME2022-63 |