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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-01-30 13:40 ［招待講演］高耐圧CAAC-IGZO FETと0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いたデータ書き換え時間が10n秒のFeRAM ○大嶋和晃・遠藤正己・沼田至優・恵木勇司・井坂史人・大野敏和・手塚祐朗・濱田俊樹・古谷一馬・津田一樹・松嵜隆徳・大貫達也・村川 努・國武寛司（半導体エネルギー研）・小林正治（東大）・山﨑舜平（半導体エネルギー研）  SDM2022-80 |
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| 抄録 | （和） | 酸化物半導体電界効果トランジスタとHfO2 系キャパシタを用いて強誘電体メモリを試作した。 HfO2系キャパシタの下部電極にダマシンプロセスを施し、キャパシタ端でのリークと耐久性の問題を解消した。 試作したメモリは一つのトランジスタと一つの0.06μm2 のキャパシタの構成にて不揮発性、信頼性、高速動作を実現した。 |
| （英） | We fabricated ferroelectric memories using oxide semiconductor field-effect transistors and HfO2-based capacitors. A damascene-processed bottom electrode eliminated leakage and endurance issues at the capacitor edge. The fabricated memory,with 1T1C configuration including the 0.06-μm2 capacitor, achieves nonvolatility, reliability comparable to prior arts, high-speed operation, and lower voltage. |
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| キーワード | （和） | IGZO / 酸化物半導体 / ダマシン / / / / / |
| （英） | IGZO / Oxide Semiconductor / HZO / damascene / BEOL / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 375, SDM2022-80, pp. 5-8, 2023年1月. | |
| 資料番号 | SDM2022-80 | |
| 発行日 | 2023-01-23 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2022-80 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2023-01-30 - 2023-01-30 |
| 開催地（和） | 機械振興会館（B3-1） |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. B3-1 |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2023-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高耐圧CAAC-IGZO FETと0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いたデータ書き換え時間が10n秒のFeRAM |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A c-axis aligned crystalline IGZO FET and a 0.06-µm2 HfO2-based Capacitor 1T1C FeRAM with High Voltage Tolerance and 10-ns Write Time |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | IGZO / IGZO |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化物半導体 / Oxide Semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | ダマシン / HZO |
| キーワード(4)（和/英） | / damascene |
| キーワード(5)（和/英） | / BEOL |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大嶋 和晃 / Kazuaki Ohshima / オオシマ カズアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 正己 / Masami Endo / エンドウ マサミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 沼田 至優 / Shiyuu Numata / ヌマタ シユウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 恵木 勇司 / Yuji Egi / エギ ユウジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井坂 史人 / Fumito Isaka / イサカ フミト |
| 第5著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 敏和 / Toshikazu Ohno / オオノ トシカズ |
| 第6著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 手塚 祐朗 / Sachiaki Tezuka / テヅカ サチアキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 濱田 俊樹 / Toshiki Hamada / ハマダ トシキ |
| 第8著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古谷 一馬 / Kazuma Furutani / フルタニ カズマ |
| 第9著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 津田 一樹 / Kazuki Tsuda / ツダ カズキ |
| 第10著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松嵜 隆徳 / Takanori Matsuzaki / マツザキ タカノリ |
| 第11著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大貫 達也 / Tatsuya Onuki / オオヌキ タツヤ |
| 第12著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村川 努 / Tsutomu Murakawa / ムラカワ ツトム |
| 第13著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | 國武 寛司 / Hitoshi Kunitake / クニタケ ヒトシ |
| 第14著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 正治 / Masaharu Kobayashi / コバヤシ マサハル |
| 第15著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山﨑 舜平 / Shunpei Yamazaki / ヤマザキ シュンペイ |
| 第16著者 所属（和/英） | 半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研) Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-01-30 13:40:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2022-80 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.375 |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-01-23 (SDM) |
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