| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-01-30 14:55 ［招待講演］RonAと逆導通信頼性のトレードオフ改善を実現する、SiC-MOSFETにおける効果的なSBD内蔵構造 ○朝羽俊介・古川 大・楠本雄司（東芝デバイス&ストレージ）・飯島良介（東芝）・河野洋志（東芝デバイス&ストレージ）  SDM2022-82 |
|
| 抄録 | （和） | 逆導通動作時のバイポーラ電流によって特性劣化するSiC-MOSFETの信頼性課題は、Schottky Barrier Diode (SBD)を内蔵したデバイス構造によって抑制可能である。SBD内蔵MOSFETのデバイス構造に起因した、特性オン抵抗(RonA)と逆導通信頼性の強いトレードオフを改善するために、内蔵SBDを市松模様に配置するデバイス構造を検討した。コンタクト構造を中心とした構造の見直しの結果、高チャネル密度によるRonAの低減と、効果的なSBD配置によるバイポーラ電流の抑制効果向上を同時に実現し、トレードオフの改善に成功した。 |
| （英） | Degradation in performance due to the bipolar current through parasitic diode during reverse operation of SiC-MOSFET can be suppressed by the device structure with embedded Schottky Barrie Diode (SBD). The new device structure with check-pattern embedded SBDs was developed to improve both specific on-resistance (RonA) and reliability. The channel density is increased by the effective design and that contributed to low RonA. Simultaneously, uniformly distributed SBDs limited the harmful bipolar conduction better. Improving in the trade-off relation of RonA and reliability in reverse conduction was demonstrated. | |
| キーワード | （和） | SiC / MOSFET / デバイス構造 / SBD内蔵 / / / / |
| （英） | SiC / MOSFET / device structure / embedded-SBD / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 375, SDM2022-82, pp. 13-16, 2023年1月. | |
| 資料番号 | SDM2022-82 | |
| 発行日 | 2023-01-23 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2022-82 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2023-01-30 - 2023-01-30 |
| 開催地（和） | 機械振興会館（B3-1） |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. B3-1 |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2023-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | RonAと逆導通信頼性のトレードオフ改善を実現する、SiC-MOSFETにおける効果的なSBD内蔵構造 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design guidlines for SBD integration into SiC-MOSFET breaking RonA- diode conduction capability trade-off |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | デバイス構造 / device structure |
| キーワード(4)（和/英） | SBD内蔵 / embedded-SBD |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 朝羽 俊介 / Shunsuke Asaba / アサバ シュンスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東芝デバイス&ストレージ (略称： 東芝デバイス&ストレージ) Toshiba Electronic Devices & Storage (略称： Toshiba D&S) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古川 大 / Masaru Furukawa / フルカワ マサル |
| 第2著者 所属（和/英） | 東芝デバイス&ストレージ (略称： 東芝デバイス&ストレージ) Toshiba Electronic Devices & Storage (略称： Toshiba D&S) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 楠本 雄司 / Yuji Kusumoto / クスモト ユウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東芝デバイス&ストレージ (略称： 東芝デバイス&ストレージ) Toshiba Electronic Devices & Storage (略称： Toshiba D&S) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯島 良介 / Ryosuke Iijima / イイジマ リョウスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) Toshiba (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河野 洋志 / Hiroshi Kono / コウノ ヒロシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東芝デバイス&ストレージ (略称： 東芝デバイス&ストレージ) Toshiba Electronic Devices & Storage (略称： Toshiba D&S) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-01-30 14:55:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2022-82 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.375 |
| ページ範囲 | pp.13-16 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-01-23 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]