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講演抄録/キーワード
講演名 2023-02-07 14:00
[招待講演]表面活性化接合の常温ヘテロインテグレーションへの適用
須賀唯知明星大SDM2022-89
抄録 (和) 表面活性化接合(SAB)の半導体3Dヘテロインテグレーションへの適用の可能性について述べる.特に,近年検討がすすめられてきた金属やSi,酸化物を中間層とした拡張SABについて,ダイヤモンドとGaNの接,Cu-SiO2ハイブリッドボンディングに関わる親水化接合との融合,ALD-Al2O3膜への適用などについて,最近の研究結果を報告する. 
(英) The potential application of surface-activated junction (SAB) to semiconductor 3D hetero-integration is presented. In particular, extended SAB with intermediate layers such as metals, Si, and oxides has been studied in recent years. The results of current research on the bonding of WBG semiconductors to the diamond substrate, Cu-SiO2 hybrid bonding combined with hydrophilic treatment, and the bonding of ALD-Al2O3 films are presented.
キーワード (和) 接合 / 表面活性化 / 3Dインテグレーション / ウエハ接合 / / / /  
(英) Bonding / Surface activation / 3D integration / Wafer bonding / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 122, no. 377, SDM2022-89, pp. 17-22, 2023年2月.
資料番号 SDM2022-89 
発行日 2023-01-31 (SDM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2022-89

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2023-02-07 - 2023-02-07 
開催地(和) 東京大学 武田ホール 
開催地(英) Tokyo Univ. 
テーマ(和) 配線・実装技術と関連材料技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2023-02-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 表面活性化接合の常温ヘテロインテグレーションへの適用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Applications of the surface activated bonding on heterogeneous Integration at room temperature 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 接合 / Bonding  
キーワード(2)(和/英) 表面活性化 / Surface activation  
キーワード(3)(和/英) 3Dインテグレーション / 3D integration  
キーワード(4)(和/英) ウエハ接合 / Wafer bonding  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 須賀 唯知 / Tadatomo Suga / スガ タダトモ
第1著者 所属(和/英) 明星大学 (略称: 明星大)
Meisei University (略称: Meisei Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2023-02-07 14:00:00 
発表時間 40分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2022-89 
巻番号(vol) vol.122 
号番号(no) no.377 
ページ範囲 pp.17-22 
ページ数
発行日 2023-01-31 (SDM) 


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