講演抄録/キーワード |
講演名 |
2023-02-07 14:00
[招待講演]表面活性化接合の常温ヘテロインテグレーションへの適用 ○須賀唯知(明星大) SDM2022-89 |
抄録 |
(和) |
表面活性化接合(SAB)の半導体3Dヘテロインテグレーションへの適用の可能性について述べる.特に,近年検討がすすめられてきた金属やSi,酸化物を中間層とした拡張SABについて,ダイヤモンドとGaNの接,Cu-SiO2ハイブリッドボンディングに関わる親水化接合との融合,ALD-Al2O3膜への適用などについて,最近の研究結果を報告する. |
(英) |
The potential application of surface-activated junction (SAB) to semiconductor 3D hetero-integration is presented. In particular, extended SAB with intermediate layers such as metals, Si, and oxides has been studied in recent years. The results of current research on the bonding of WBG semiconductors to the diamond substrate, Cu-SiO2 hybrid bonding combined with hydrophilic treatment, and the bonding of ALD-Al2O3 films are presented. |
キーワード |
(和) |
接合 / 表面活性化 / 3Dインテグレーション / ウエハ接合 / / / / |
(英) |
Bonding / Surface activation / 3D integration / Wafer bonding / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 122, no. 377, SDM2022-89, pp. 17-22, 2023年2月. |
資料番号 |
SDM2022-89 |
発行日 |
2023-01-31 (SDM) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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SDM2022-89 |