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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-11-10 13:10 ［招待講演］極低温におけるMOSFETのノイズ源 ○稲葉 工・岡 博史・浅井栄大・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・下方駿佑・福田浩一・森 貴洋（産総研）  SDM2023-70 |
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| 抄録 | （和） | 量子計算機に用いられる無数の量子ビットを制御する目的で極低温動作集積回路の開発が求められている。その回路設計にむけて極低温動作MOSFETのデバイスモデルが必要である。しかしながら極低温動作MOSFETの特性は既存デバイスモデルの温度パラメータを変化させただけでは適切に再現できないことが明らかになりつつある。そのため、回路設計にむけて極低温におけるデバイス物理を明らかにすることから始めなければならない。特に量子ビット制御回路には低ノイズ性が要求されるため、極低温動作MOSFETのノイズに係る物理を明らかにすることは量子計算機の開発に大きく寄与する。そのような背景の下、本講演では、ノイズの温度依存性を評価し、極低温ではチャネル部分のわずかなポテンシャル揺らぎさえもノイズ源になると解明したことについて報告する。 |
| （英） | There is increasing demand for the development of classic integrated circuits to control qubits for quantum computers. For this purpose, a cryogenic device model is needed. However, cryogenic characteristics of MOSFET are dissimilar to the room temperature counterparts, requiring the research on the device physics at cryogenic temperature. In particular, noise sources of MOSFETs at cryogenic temperature are of great interest because the noise vulnerability of qubits imposes low-noise characteristics on the controlling circuits. In this presentation, the temperature dependence of noise generated from MOSFETs is analyzed, which shows that shallow potential fluctuations on the channel (i.e., band-tail states) can become noise sources at cryogenic temperature. | |
| キーワード | （和） | Cryo-CMOS / 量子計算機 / ノイズ / シリコン / バンドテールステート / / / |
| （英） | Cryo-CMOS / Quantum Computer / Noise / Silicon / Band-tail State / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 250, SDM2023-70, pp. 35-35, 2023年11月. | |
| 資料番号 | SDM2023-70 | |
| 発行日 | 2023-11-02 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2023-70 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2023-11-09 - 2023-11-10 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2023-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 極低温におけるMOSFETのノイズ源 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Noies Source of MOSFETs Operating at Cryogenic Temperature |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cryo-CMOS / Cryo-CMOS |
| キーワード(2)（和/英） | 量子計算機 / Quantum Computer |
| キーワード(3)（和/英） | ノイズ / Noise |
| キーワード(4)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(5)（和/英） | バンドテールステート / Band-tail State |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 稲葉 工 / Takumi Inaba / イナバ タクミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡 博史 / Hiroshi Oka / オカ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅井 栄大 / Hidehiro Asai / アサイ ヒデヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 更田 裕司 / Hiroshi Fuketa / フケタ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯塚 将太 / Shota Iizuka / イイヅカ ショウタ |
| 第5著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 公彦 / Kimihiko Kato / カトウ キミヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 下方 駿佑 / Shunsuke Shitakata / シタカタ シュンスケ |
| 第7著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 浩一 / Koichi Fukuda / フクダ コウイチ |
| 第8著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 貴洋 / Takahiro Mori / モリ タカヒロ |
| 第9著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-11-10 13:10:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2023-70 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.250 |
| ページ範囲 | p.35 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2023-11-02 (SDM) |
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